[发明专利]信号处理器控制装置

权利要求书

1.一种信号处理器控制装置，其特征在于，包括或非门电路，所述或非门电路的第一控制信号输入端输入第一控制信号，所述或非门电路的第二控制信号输入端输入第二控制信号，所述或非门电路的电源端连接信号处理器的待机电压，所述或非门电路的控制信号输出端输出用于控制所述信号处理器的主电压的控制信号，所述第一控制信号为由终端控制所述信号处理器发出的高电平或低电平，所述第二控制信号为预设低电平；

所述或非门电路包括三极管Q26、三极管Q27、三极管Q28、三极管Q29、三极管Q30、三极管Q31、电阻R404、电阻R405、电阻R406、电阻R407、电阻R408、电阻R417、电阻R418和二极管D72；

所述信号处理器的待机电压分别连接电阻R404的一端、电阻R405的一端、电阻R407的一端、电阻R408的一端、电阻R417的一端和电阻R418的一端，电阻R417的另一端分别连接所述第二控制信号和三极管Q28的发射极，电阻R404的另一端连接三极管Q31的基极，电阻R405的另一端分别连接三极管Q26的基极、三极管Q29的集电极和三极管Q30的集电极，电阻R407的另一端连接三极管Q28的基极，电阻R408的另一端连接三极管Q26的集电极，电阻R418的另一端分别连接二极管D72的负极、三极管Q27的集电极和用于控制所述信号处理器的主电压的控制信号，三极管Q31的发射极连接所述第一控制信号，三极管Q31的集电极连接三极管Q29的基极，三极管Q29的发射极分别连接电阻R406的一端、三极管Q30的发射极和三极管Q27的基极，电阻R406的另一端接地，三极管Q30的基极连接三极管Q28的集电极，三极管Q27的发射极接地，三极管Q26的发射极连接二极管D72的正极。

2.根据权利要求1所述的信号处理器控制装置，其特征在于，还包括设置在所述或非门电路的电源端和所述信号处理器之间的缓启动电路；

所述缓启动电路的控制信号端输入所述第一控制信号，所述缓启动电路的电源输入端连接所述信号处理器的待机电压，所述缓启动电路的电源输出端连接所述或非门电路的电源端。

3.根据权利要求2所述的信号处理器控制装置，其特征在于，还包括设置在所述缓启动电路的电源输出端和所述或非门电路的电源端之间的EMI抑制电路；

所述EMI抑制电路的输入端连接所述缓启动电路的电源输出端，所述EMI抑制电路的输出端连接所述或非门电路的电源端。

4.根据权利要求3所述的信号处理器控制装置，其特征在于，还包括设置在所述EMI抑制电路的输出端和所述或非门电路的电源端之间的静电泄放保护电路；

所述静电泄放保护电路的输入端连接所述EMI抑制电路的输出端，所述静电泄放保护电路的输出端连接所述或非门电路的电源端。

5.根据权利要求2所述的信号处理器控制装置，其特征在于，所述缓启动电路包括电阻R409、电阻R410、电阻R411、电阻R413、电阻R414、电阻R415、三极管Q32、三极管Q33、MOS管MOS47、电容C217、电容C218、电容C219和电容C221；

所述信号处理器的待机电压分别连接电阻R411的一端、电容C219的一端、电阻R413的一端、电阻R409的一端和MOS管MOS47的源极，电阻R411的另一端分别连接电容C217的一端、电阻R410的一端和三极管Q32的基极，电容C217的另一端、电阻R410的另一端和三极管Q32的发射极分别连接三极管Q33的集电极，三极管Q33的发射极接地，三极管Q33的基极连接第一控制信号，电容C219的另一端接地，电阻R413的另一端连接电容C218的一端，电容C218的另一端分别连接电容C221的一端、MOS管MOS47的漏极和所述或非门电路的电源端，电容C221的另一端连接电阻R415的一端，电阻R415的另一端分别连接电阻R414的一端、MOS管MOS47的栅极和电阻R409的另一端，电阻R414的另一端连接三极管Q32的集电极。