[发明专利]一种检测离子注入之后晶圆表面残留电荷量的方法在审
| 申请号： | 201611154391.8 | 申请日： | 2016-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN108231614A | 公开（公告）日： | 2018-06-29 |
| 发明（设计）人： | 张进创;沈建飞 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶圆表面 离子 残留电荷 介质层 刻蚀 电荷量 种检测 晶圆 缺陷率 时效性 有效地 测量 监控 检测 | ||
【权利要求书】：
1.一种检测离子注入之后晶圆表面残留电荷量的方法，其特征在于，包括：
提供晶圆；
在所述晶圆表面形成介质层；
对所述形成有介质层的晶圆执行离子注入；
刻蚀所述介质层，并测量刻蚀速率；
根据所述刻蚀速率反映晶圆表面的电荷量。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述介质层为氧化硅层。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述氧化硅层为掺氮的氧化硅层。
4.根据权利要求1-3之一所述的方法，其特征在于，所述介质层的厚度为800-1200埃。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述注入的离子为砷。
6.根据权利要求1或5所述的方法，其特征在于，所述离子注入的剂量为1.0×1015/cm2以上。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述刻蚀为湿法刻蚀。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述湿法刻蚀所使用的刻蚀液为稀氢氟酸。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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