[发明专利]柔性基板剥离方法

说明书

本发明提供一种柔性基板剥离方法，包括以下步骤。对单晶硅片表面进行氧化，以获取第一氧化层。对单晶硅片进行第一次离子注入，以将离子注入单晶硅片中。利用第一氧化层，将注入离子的单晶硅片与玻璃基板进行低温键合，以获取键合片。对键合片进行退火处理，以使单晶硅片上的预设厚度的单晶硅层留在玻璃基板表面；对退火处理后的键合片进行第二次离子注入，以获取原始基板。在原始基板表面完成AMOLED工艺，以获得柔性基板。对柔性基板利用激光进行加温，使柔性基板与玻璃基板剥离开。上述方法利用激光产生的热量来剥离柔性基板，可有效提升产品良率。

技术领域

本发明涉及显示器技术领域，尤其涉及一种柔性基板剥离方法。

背景技术

所谓柔性显示，它是一种在柔性材料构成的基板表面制备器件的方法。随着科技的不断更新与发展，采用柔性基板制成的可弯曲的柔性器件有望成为下一代光电子器件的主流设备，如显示器、芯片、电路、电源、传感器等柔性器件可以实现传统光电子器件所不能实现的功能，成本或用户体验的优势。如柔性有源矩阵有机发光二极体面板(Active-matrix organic light emitting diode，简称AMOLED)，需要在硬质基板表面先制备或吸附柔性基板，继而进行器件制备后再将柔性基板从硬质基板上剥离。因此，如何将柔性基板与硬质基板的有效剥离是生产柔性器件的关键技术之一。

目前主流的柔性AMOLED剥离方式是采用激光烧蚀的方式进行，即在聚合物柔性基板和硬质玻璃基板的界面施加高强度的激光，烧蚀界面层的聚合物，从而实现柔性和硬质基板的剥离。但是，激光的高能量，在剥离的过程中产生的大量的热量会对柔性显示膜造成较大的损坏，在应用过程对产品的良率造成较大的威胁。

发明内容

本发明提供一种柔性基板剥离方法，用以解决现有技术中使用激光剥离的过程中，产生的热量造成柔性基板损坏造成良率不高的技术问题。

本发明提供一种柔性基板剥离方法，包括：

对单晶硅片表面进行氧化，以获取第一氧化层；

对单晶硅片进行第一次离子注入，以将离子注入单晶硅片中；

利用第一氧化层，将注入离子的单晶硅片与玻璃基板进行低温键合，以获取键合片；

对键合片进行退火处理，以使单晶硅片上的预设厚度的单晶硅层留在玻璃基板表面；

对退火处理后的键合片进行第二次离子注入，以获取原始基板；

在原始基板表面完成AMOLED工艺，以获得柔性基板；

对柔性基板利用激光进行加温，使柔性基板与玻璃基板剥离开。

进一步的，对退火处理后的键合片进行第二次离子注入，以获取原始基板，具体包括：

在单晶硅层表面沉积第二氧化层；

对单晶硅层进行第二次离子注入，以获取原始基板。

进一步的，预设厚度为500nm-2μm。

进一步的，退火处理的退火温度为300℃-600℃。

进一步的，第一氧化层为二氧化硅层。

进一步的，第一氧化层的厚度为100nm-300nm。

进一步的，第一次离子注入的剂量范围为5×10¹⁶/cm²-5×10¹⁸/cm²。

进一步的，第一次离子注入和第二次离子注入为氢离子注入或氦离子注入。

进一步的，在原始基板表面完成AMOLED工艺，以获得柔性基板，具体包括：