[发明专利]处理PEDOT:PSS的方法、QLED及制备方法在审

专利信息
申请号: 201611147004.8 申请日: 2016-12-13
公开(公告)号: CN107046107A 公开(公告)日: 2017-08-15
发明(设计)人: 刘佳 申请(专利权)人: TCL集团股份有限公司
主分类号: H01L51/56 分类号: H01L51/56;H01L51/50;B82Y30/00
代理公司: 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙)44268 代理人: 王永文,刘文求
地址: 516006 广东省*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 处理 pedot pss 方法 qled 制备
【说明书】:

技术领域

发明涉及显示材料领域,尤其涉及处理PEDOT:PSS的方法、QLED及制备方法。

背景技术

半导体量子点具有尺寸可调谐的光电子性质,已经被广泛地应用于发光二极管、太阳能电池和生物荧光标记。量子点合成技术经过二十多年的发展,人们已经可以合成各种高质量的纳米材料,其光致发光效率可以达到 85%以上。由于量子点具有尺寸可调节的发光、发光线宽窄、光致发光效率高和热稳定性等特点,因此以量子点作为发光层的量子点发光二极管(QLED)是极具潜力的下一代显示和固态照明光源。经过多年的发展,QLED技术获得了巨大的发展。

PEDOT是一种经常应用在QLED中且不溶不融的高透光导电材料,为了充分应用PEDOT的高透光导电性能,研究发现,将PEDOT跟PSS聚合后,其不仅具有优良的透光导电性,同时还很容易溶解在水相中,所以,PEDOT:PSS水溶液被广泛的应用在太阳能电池和QLED中。但是,PSS的加入虽然解决了PEDOT溶解的问题,但是同时带来了新的问题,PEDOT的导电率下降,这也影响了QLED器件性能的提高。

因此,现有技术还有待于改进和发展。

发明内容

鉴于上述现有技术的不足,本发明的目的在于提供处理PEDOT:PSS的方法、QLED及制备方法,旨在解决现有的PEDOT:PSS导电率低、影响QLED器件性能的问题。

本发明的技术方案如下:

一种采用酸溶液处理PEDOT:PSS的方法,其中,包括步骤:

将制作有PEDOT:PSS的基板置于加热台上加热,并滴加酸溶液,使酸溶液铺满PEDOT:PSS表面,待表面蒸干之后冷却。

所述的采用酸溶液处理PEDOT:PSS的方法,其中,加热的温度为90~110℃。

所述的采用酸溶液处理PEDOT:PSS的方法,其中,所述酸溶液为卤氢酸、盐酸或醋酸。

所述的采用酸溶液处理PEDOT:PSS的方法,其中,所述酸溶液的浓度为1-20mol/L。

一种QLED的制备方法,其中,包括步骤:

A、在含有底电极的基板表面制作空穴传输层,所述空穴传输层的材料为PEDOT:PSS;

B、将基板置于加热台上加热,并滴加酸溶液,使酸溶液铺满PEDOT:PSS表面,待表面蒸干之后冷却;

C、在空穴传输层表面沉积量子点发光层;

D、在量子点发光层表面沉积电子传输层;

E、在电子传输层表面制作顶电极。

所述的QLED的制备方法,其中,所述步骤B中,加热的温度为90~110℃。

所述的QLED的制备方法,其中,所述步骤B中,所述酸溶液为卤氢酸、盐酸或醋酸。

所述的QLED的制备方法,其中,所述步骤B中,所述酸溶液的浓度为1-20mol/L。

一种QLED,其中,依次包括含有底电极的基板、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和顶电极,其中,所述空穴传输层的材料是PEDOT:PSS,所述PEDOT:PSS采用如上所述的方法处理得到。

所述的QLED,其中,所述空穴传输层的厚度为30-70nm。

有益效果:本发明对PEDOT:PSS进行酸处理后,由于质子和X-离子的渗入,使得PEDOT:PSS进行相分离,形成良好的激子传输通道,使得PEDOT:PSS导电率提高,具有增强器件性能的作用。

附图说明

图1为本发明一种QLED的制备方法较佳实施例的流程图。

图2为本发明一种QLED的结构示意图。

具体实施方式

本发明提供处理PEDOT:PSS的方法、QLED及制备方法,为使本发明的目的、技术方案及效果更加清楚、明确,以下对本发明进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明,并不用于限定本发明。

本发明所提供的一种采用酸溶液处理PEDOT:PSS的方法,其包括步骤:

将制作有PEDOT:PSS的基板置于加热台上加热,并滴加酸溶液,使酸溶液铺满PEDOT:PSS表面,待表面蒸干之后冷却。

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