[发明专利]处理PEDOT:PSS的方法、QLED及制备方法在审
| 申请号： | 201611147004.8 | 申请日： | 2016-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN107046107A | 公开（公告）日： | 2017-08-15 |
| 发明（设计）人： | 刘佳 | 申请（专利权）人： | TCL集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/56 | 分类号： | H01L51/56;H01L51/50;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙)44268 | 代理人： | 王永文,刘文求 |
| 地址： | 516006 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 处理 pedot pss 方法 qled 制备 | ||
1.一种采用酸溶液处理PEDOT:PSS的方法，其特征在于，包括步骤：
将制作有PEDOT:PSS的基板置于加热台上加热，并滴加酸溶液，使酸溶液铺满PEDOT:PSS表面，待表面蒸干之后冷却。
2.根据权利要求1所述的采用酸溶液处理PEDOT:PSS的方法，其特征在于，加热的温度为90~110℃。
3.根据权利要求1所述的采用酸溶液处理PEDOT:PSS的方法，其特征在于，所述酸溶液为卤氢酸、盐酸或醋酸。
4.根据权利要求1所述的采用酸溶液处理PEDOT:PSS的方法，其特征在于，所述酸溶液的浓度为1-20mol/L。
5.一种QLED的制备方法，其特征在于，包括步骤：
A、在含有底电极的基板表面制作空穴传输层，所述空穴传输层的材料为PEDOT:PSS；
B、将基板置于加热台上加热，并滴加酸溶液，使酸溶液铺满PEDOT:PSS表面，待表面蒸干之后冷却；
C、在空穴传输层表面沉积量子点发光层；
D、在量子点发光层表面沉积电子传输层；
E、在电子传输层表面制作顶电极。
6.根据权利要求5所述的QLED的制备方法，其特征在于，所述步骤B中，加热的温度为90~110℃。
7.根据权利要求5所述的QLED的制备方法，其特征在于，所述步骤B中，所述酸溶液为卤氢酸、盐酸或醋酸。
8.根据权利要求5所述的QLED的制备方法，其特征在于，所述步骤B中，所述酸溶液的浓度为1-20mol/L。
9.一种QLED，其特征在于，依次包括含有底电极的基板、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和顶电极，其中，所述空穴传输层的材料是PEDOT:PSS，所述PEDOT:PSS采用如权利要求1所述的方法处理得到。
10.根据权利要求9所述的QLED，其特征在于，所述空穴传输层的厚度为30-70nm。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
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H01L51-54 .. 材料选择
