[发明专利]显示装置用基板的制造方法以及显示装置的制造方法

权利要求书

1.一种显示装置用基板的制造方法，其具有下述工序：

在绝缘性的基板之上形成以氧化硅或者氧化金属为主要成分的绝缘膜；

形成与所述绝缘膜直接接触的、具有将氧化物半导体进行绝缘体化而得到的绝缘体部的无机膜；以及

形成与所述绝缘体部直接接触的配线膜。

2.根据权利要求1所述的显示装置用基板的制造方法，其特征在于，

在形成所述绝缘膜的工序之后，实施形成所述无机膜的工序，

在形成所述无机膜的工序之后，实施形成所述配线膜的工序。

3.根据权利要求1所述的显示装置用基板的制造方法，其特征在于，

在形成所述配线膜的工序之后，实施形成所述无机膜的工序，

在形成所述无机膜的工序之后，实施形成所述绝缘膜的工序。

4.一种显示装置用基板的制造方法，其具有下述工序：

在绝缘性的基板之上形成具有将氧化物半导体进行绝缘体化而得到的绝缘体部的无机膜；

形成与所述绝缘体部直接接触的配线膜；以及

形成与所述配线膜直接接触的、以氧化硅或者氧化金属为主要成分的绝缘膜。

5.根据权利要求4所述的显示装置用基板的制造方法，其特征在于，

在形成所述无机膜的工序之后，实施形成所述配线膜的工序，

在形成所述配线膜的工序之后，实施形成所述绝缘膜的工序。

6.根据权利要求4所述的显示装置用基板的制造方法，其特征在于，

在形成所述绝缘膜的工序之后，实施形成所述配线膜的工序，

在形成所述配线膜的工序之后，实施形成所述无机膜的工序。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的显示装置用基板的制造方法，其特征在于，

形成所述无机膜的工序具有下述工序：

形成所述氧化物半导体的膜；以及

在形成所述氧化物半导体的膜的工序之后，将所述氧化物半导体的膜进行绝缘体化而形成所述绝缘体部。

8.根据权利要求7所述的显示装置用基板的制造方法，其特征在于，

在形成所述绝缘体部的工序中，仅将所述氧化物半导体的膜的一部分进行绝缘体化而形成所述绝缘体部。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的显示装置用基板的制造方法，其特征在于，

在形成所述绝缘膜的工序中，以俯视观察时所述绝缘膜在所述配线膜的宽度方向包含所述配线膜的方式形成所述绝缘膜。

10.根据权利要求1至9中任一项所述的显示装置用基板的制造方法，其特征在于，

在形成所述配线膜的工序中，形成具有第1配线膜及不与所述第1配线膜直接接触的第2配线膜的所述配线膜，

所述显示装置用基板的制造方法具有下述工序，即，将所述氧化物半导体的膜进行导体化，形成与所述第1配线膜及所述第2配线膜直接接触的导体部。

11.根据权利要求10所述的显示装置用基板的制造方法，其特征在于，

在形成所述导体部的工序中，将紫外线照射至所述绝缘膜及所述无机膜而形成所述导体部。

12.根据权利要求11所述的显示装置用基板的制造方法，其特征在于，

在形成所述导体部的工序中，将所述紫外线在从所述无机膜朝向所述基板的方向照射。

13.根据权利要求11所述的显示装置用基板的制造方法，其特征在于，

所述基板由使所述紫外线透过的材料形成，

在形成所述导体部的工序中，将所述紫外线在从所述基板朝向所述无机膜的方向照射。

14.根据权利要求11至13中任一项所述的显示装置用基板的制造方法，其特征在于，

所述紫外线是由紫外线灯、紫外线LED或者紫外线激光器照射出的。

15.根据权利要求1至14中任一项所述的显示装置用基板的制造方法，其特征在于，

所述氧化物半导体是InGaZnO类、InZnO类、InGaO类、InSnO类、InSnZnO类、InGaZnSnO类、InAlZnO类、InHfZnO类、InZrZnO类、InMgZnO类或者InYZnO类的氧化物半导体。

16.一种显示装置的制造方法，其具有使用权利要求1至15中任一项所述的显示装置用基板的制造方法而制造显示装置用基板的工序。