[发明专利]一种晶圆的加工方法

说明书

本发明公开了一种晶圆的加工方法，在第一衬底的第一端面上进行图形化处理，形成结构层、光刻胶涂层，并在所述光刻胶涂层上定义出对准标识孔；在对准标识孔的区域对结构层、第一衬底进行蚀刻，使得对准标识孔一直延伸至第一衬底上；将第一衬底设置有结构层的一面与第二衬底粘接在一起；对第一衬底的第二端面进行减薄处理，且对准标识孔从第一衬底的第二端面露出；e)通过该对准标识孔进行定位。在两个晶圆粘接前，预先在其中一个晶圆上嵌埋预定深度的对准标识孔，待两个晶圆粘接后，通过研磨制程将晶圆加工至预定的厚度，并通过露出的对准标识孔进行第二次定位，使得可以采用原有的设备对晶圆的表面进行高精度的加工。

技术领域

本发明涉及一种晶圆的加工方法。

背景技术

晶圆(Wafer)是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片，由于其形状为圆形，故称为晶圆。晶圆的制造工艺及相关的制造工具可以包括热氧化、扩散、离子注入、快速热处理(RTP)、化学汽相沉积(CVD)、物理汽相沉积(PVD)、外延形成/生长工艺、蚀刻工艺、光刻工艺和/或其他制造工艺和工具。晶圆在完成两片Wafer粘接制程状态，如果需要进行晶圆外表面的加工，则必须将两片Wafer预先翻印至外表面，这是一种繁琐的加工方式，且晶圆的对准标志经过多次翻印后会出现多次对准误差的产生，其精度已无法满足精密元件的加工需求。

发明内容

本发明的一个目的是提供一种晶圆的加工方法的新技术方案。

根据本发明的第一方面，提供了一种晶圆的加工方法，包括以下步骤：

a)在第一衬底的第一端面上进行图形化处理，形成结构层，在结构层的上方设置光刻胶涂层，并在所述光刻胶涂层上定义出对准标识孔；

b)在对准标识孔的区域对结构层、第一衬底进行蚀刻，使得对准标识孔一直延伸至第一衬底上；

c)将第一衬底设置有结构层的一面与第二衬底粘接在一起；

d)对第一衬底的第二端面进行减薄处理，且对准标识孔从第一衬底的第二端面露出；

e)通过该对准标识孔进行定位，对第一衬底的第二端面进行图形化处理。

可选地，所述步骤b)中，所述对准标识孔蚀刻后形成的是延伸至第一衬底内的盲孔。

可选地，所述步骤b)中，所述对准标识孔蚀刻后形成的贯穿第一衬底两端的通孔。

可选地，所述步骤d)中通过研磨的方式对第一衬底的第二端面进行减薄处理。

本发明的制造方法，在两个晶圆粘接前，预先在其中一个晶圆上嵌埋预定深度的对准标识孔，待两个晶圆粘接后，通过研磨制程将晶圆加工至预定的厚度，并通过露出的对准标识孔进行第二次定位，使得可以采用原有的设备对晶圆的表面进行高精度的加工。

本发明的发明人发现，在现有技术中，经常需要将晶圆进行翻转加工，这是一种繁琐的加工方式，且晶圆的对准标志经过多次翻印后会出现多次对准误差的产生，其精度已无法满足精密元件的加工需求。因此，本发明所要实现的技术任务或者所要解决的技术问题是本领域技术人员从未想到的或者没有预期到的，故本发明是一种新的技术方案。

通过以下参照附图对本发明的示例性实施例的详细描述，本发明的其它特征及其优点将会变得清楚。

附图说明

被结合在说明书中并构成说明书的一部分的附图示出了本发明的实施例，并且连同其说明一起用于解释本发明的原理。

图1至图4是本发明加工方法的工艺流程图。

具体实施方式

现在将参照附图来详细描述本发明的各种示例性实施例。应注意到：除非另外具体说明，否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、数字表达式和数值不限制本发明的范围。