[发明专利]双带通截止型复合滤光膜、滤光片及其制备方法

权利要求书

1.双带通截止型复合滤光膜，其特征在于，膜系结构为满足λ/4周期性的膜堆(LH)^S，

其中，L为二氧化硅膜层；H为五氧化三钛膜层，S为周期数，取值为21-23；与基片相邻的膜层为第1层，采用五氧化三钛膜层，所述第1层的几何厚度为177-178nm；最外层为第2S层，采用二氧化硅膜层，所述第2S层的几何厚度为178-179nm；第2-S层中，偶数层均为二氧化硅膜层，偶数层的几何厚度为50-101nm，奇数层均为五氧化三钛膜层，奇数层的几何厚度为30-50nm。

2.根据权利要求1所述的双带通截止型复合滤光膜，其特征在于，S取值为22。

3.采用如权利要求1-2中任一所述的双带通截止型复合滤光膜制成的双带通截止型复合滤光片，其特征在于，还包括光学玻璃基片，在所述基片上覆盖所述第1层膜层。

4.如权利要求3所述双带通截止型复合滤光片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤S101，清洁基片；

步骤S102，将基片放入真空室内，抽真空至2×10^-2Pa，加热所述基片至170℃-200℃；

步骤S103，镀制第1层膜层，对五氧化三钛膜料颗粒进行预熔，用预熔后的五氧化三钛膜料对基片进行离子轰击，真空度为2×10^-2Pa，离子轰击电压600V-1kV负高压，离击时间为15min-20min，使五氧化三钛膜料离子沉积在基片上，采用石英晶体监控以及光学监控的方法确定第1层膜层的厚度；

步骤S104，镀制第2层膜层，对二氧化硅膜料颗粒进行预熔，用预熔后的二氧化硅膜料对基片进行离子轰击，真空度为2×10^-1Pa，离子轰击电压400V-800V负高压，离击时间为10min-15min，使二氧化硅膜料离子沉积在基片上，采用石英晶体监控以及光学监控的方法确定第2层膜层的厚度；

步骤S105，镀制第3层膜层，对五氧化三钛膜料颗粒进行预熔，用预熔后的五氧化三钛膜料对基片进行离子轰击，真空度为2×10^-1Pa，离子轰击电压200V-600V负高压，离击时间为10min-15min，使五氧化三钛膜料离子沉积在基片上，采用石英晶体监控以及光学监控的方法确定第3层膜层的厚度；

步骤S106，依次重复步骤S104和步骤S105，镀制第4～43层膜层；

步骤S107，镀制第44层膜层，对二氧化硅膜料颗粒进行预熔，用预熔后的二氧化硅膜料对基片进行离子轰击，真空度为2×10^-2Pa，离子轰击电压600V-1kV负高压，离击时间为15min-20min，使二氧化硅膜料离子沉积在基片上，采用石英晶体监控以及光学监控的方法确定第44层膜层的厚度；

步骤S108，将镀制完成44层膜层的滤光片放置在真空室内200℃的温度中保温2小时后取出。

5.如权利要求4所述双带通截止型复合滤光片的制备方法，其特征在于，在步骤S103-步骤S107中还包括：离子辅助沉淀；在采用膜料对基片进行离子轰击的同时，通过离子束轰击在基片表面的淀积离子。

6.如权利要求5所述双带通截止型复合滤光片的制备方法，其特征在于，在步骤S108中包括：

步骤S1081，将镀制完成44层膜层的滤光片放置在真空室内200℃的温度中保温2小时，待真空室温度降至100℃以下，打开放气阀向真空室内充气，使真空室内气压与大气压相等，并放置2小时；

步骤S1082，在大气压环境下对滤光片进行烘烤，在200℃温度中烘烤2小时。