[发明专利]一种高温太阳光谱选择性吸收薄膜及其制备方法在审
申请号: | 201611101272.6 | 申请日: | 2016-12-02 |
公开(公告)号: | CN108613423A | 公开(公告)日: | 2018-10-02 |
发明(设计)人: | 李世杰;米菁;郝雷;于庆河;杜淼;杨海龄;刘晓鹏;蒋利军 | 申请(专利权)人: | 北京有色金属研究总院 |
主分类号: | F24S70/25 | 分类号: | F24S70/25;C23C14/35 |
代理公司: | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 | 代理人: | 刘秀青;熊国裕 |
地址: | 100088 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 吸收层 金属 制备 太阳光谱选择性 红外高反射层 扩散阻挡层 减反射层 体积分数 吸收薄膜 薄膜 控制气体流量 中频反应溅射 高温稳定性 薄膜结构 采用直流 高温使用 光热利用 溅射功率 金属粒子 膜层材料 复合材料 中高温 中膜层 沉积 基底 紊乱 太阳能 陶瓷 应用 | ||
1.一种高温太阳光谱选择性吸收薄膜,其特征在于,该薄膜由沉积在基底上的金属红外高反射层、扩散阻挡层、吸收层和减反射层依次组成,其中金属红外高反射层为金属Ti、Cr、Al或Cu中的一种;扩散阻挡层为Cr2O3;吸收层为金属和陶瓷的复合材料,其中第一吸收层中金属的体积分数大于第二吸收层中金属的体积分数;减反射层为Cr2O3。
2.根据权利要求1所述的高温太阳光谱选择性吸收薄膜,其特征在于,所述吸收层中的金属为Ti、Cr,陶瓷为金属Ti、Cr的氧化物。
3.根据权利要求1或2所述的高温太阳光谱选择性吸收薄膜,其特征在于,所述第一吸收层中金属的体积分数为20~90%,所述第二吸收层中金属的体积分数为10~60%。
4.根据权利要求1或2所述的高温太阳光谱选择性吸收薄膜,其特征在于,所述金属红外高反射层的厚度为50-300nm。
5.根据权利要求1或2所述的高温太阳光谱选择性吸收薄膜,其特征在于,所述扩散阻挡层的厚度为20-100nm。
6.根据权利要求1或2所述的高温太阳光谱选择性吸收薄膜,其特征在于,所述第一吸收层的厚度为20-150nm,第二吸收层的厚度为20-150nm。
7.根据权利要求1或2所述的高温太阳光谱选择性吸收薄膜,其特征在于,所述基底材料为表面抛光的不锈钢、Cu、Al中的一种。
8.一种权利要求1-7中任一项所述的高温太阳光谱选择性吸收薄膜的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
(1)基底材料超声清洗烘干后置入真空室后,对其表面进行氩离子轰击20~30min;
(2)采用直流磁控溅射的方法沉积金属红外高反射层,反应气体和工作气体均为高纯Ar;
(3)采用中频反应溅射的方法沉积Cr2O3扩散阻挡层;
(4)采用直流反应溅射的方法依次沉积第一吸收层和第二吸收层;
(5)采用中频反应溅射沉积Cr2O3减反射层。
9.根据权利要求8所述的制备方法,其特征在于,在所述步骤(5)中,沉积减反射层所采用的靶材为双Cr靶,反应气体和工作气体为高纯Ar与高纯O2。
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