[发明专利]半导体器件中的局部互连件的制造方法及半导体器件有效
| 申请号： | 201611099323.6 | 申请日： | 2016-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN107026118B | 公开（公告）日： | 2021-03-09 |
| 发明（设计）人： | 赖瑞尧;陈盈燕;叶震亚;杨世海;陈燕铭 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L27/11 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 中的 局部 互连 制造 方法 | ||
1.一种半导体器件，包括：
第一栅电极，设置在衬底上；
第一覆盖绝缘层，设置在所述第一栅电极上；
第一侧壁间隔件，设置在所述第一栅电极和所述第一覆盖绝缘层的侧面上；
第二栅电极，设置在所述衬底上；
第二侧壁间隔件，设置在所述第二栅电极的侧面上；
第一源极/漏极区，设置在所述第一栅电极和所述第二栅电极之间；
层间介电层，设置在所述第一源极/漏极区上；以及
局部互连件，将所述第一栅电极与所述第一源极/漏极区连接，其中：
所述局部互连件设置在所述衬底与第一金属布线层之间，其中，电源供电线设置在所述第一金属布线层中，
从上往下看时，所述局部互连件具有钥匙孔形状，并且所述局部互连件具有头部、颈部和通过所述颈部连接至所述头部的主体部分，和
所述头部设置在所述第一栅电极上方，并且所述主体部分设置在所述第一源极/漏极区上方，
其中，在平面图中，在所述第一栅电极延伸的方向上，所述颈部的宽度小于所述头部的宽度和所述主体部分的宽度，
其中，所述颈部设置在所述第一侧壁间隔件上方，所述颈部与所述头部之间的分界面以及所述颈部与所述主体部分之间的分界面均位于所述第一侧壁间隔件所限定的区域内，
其中，所述局部互连件嵌入在由所述第一覆盖绝缘层、所述第一栅电极、所述第一侧壁间隔件、所述层间介电层、所述第一源极/漏极区和所述第二侧壁间隔件限定的与所述局部互连件的形状相匹配的空间中。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述颈部的宽度在5nm至10nm的范围内。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述头部与所述第一覆盖绝缘层接触。
4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述第一覆盖绝缘层包括SiN、SiCN、SiON或SiOCN中的至少一种。
5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中：
所述第一侧壁间隔件由与所述第一覆盖绝缘层不同的材料制成，并且所述第一侧壁间隔件包括SiN、SiCN、SiON或SiOCN中的至少一种。
6.根据权利要求3所述的半导体器件，还包括：
第二覆盖绝缘层，设置在所述第二栅电极上方。
7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述局部互连件由W和Co中的至少一种制成。
8.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述第一覆盖绝缘层的上表面、所述第一侧壁间隔件的上表面和所述局部互连件的上表面彼此齐平。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
