[发明专利]使用升压电路的电平移位器电路

说明书

技术领域

本发明实施例大体上涉及一种使用升压电路的电平移位器电路。所述升压电路经配置以在例如跨越所述电平移位器电路的电压域的高电压相差较大时改进所述电平移位器电路的操作。

背景技术

电平移位器电路是可用于将信号从一个逻辑电平转换成另一逻辑电平的电路。举例来说，电平移位器电路可用于使用不同电压电平(例如，针对高电压的不同值)的两个电路之间。电平移位器电路可放置于这两个电路之间，以将一种电压转换成另一种电压，使得两个电路中的每一者都能够基于对应高电压值检测(例如)高信号。电平移位器电路用于各种电路中，例如(但不限于)静态随机存取存储器(SRAM)及双轨SRAM电路，其中与连接到较低电压的SRAM外围电路的剩余部分不同，SRAM单元是连接到较高电压。电平移位器电路用于上移进入SRAM单元的信号。

发明内容

本发明实施例提供一种电路设备，其包括：核心电平移位器电路，其经配置以将输入信号的第一电压改变成输出信号的第二电压；第一升压电路，其耦合到所述核心电平移位器电路并经配置以在所述输入信号从低值转变成高值时产生施加于所述核心电平移位器电路的第一瞬变电压；及第二升压电路，其耦合到所述核心电平移位器电路并经配置以在所述输入信号从高值转变成低值时产生施加于所述核心电平移位器电路的第二瞬变电压。

附图说明

在结合附图阅读时，从以下详细描述最佳理解本发明实施例的方面。应注意，根据行业中的标准惯例，各种特征件并非按比例绘制。事实上，为使论述清楚，可随意增加或减小各种特征件的尺寸。

图1说明根据一些实施例的具有升压电路的电平移位器电路。

图2说明根据一些实施例的具有升压电路的电平移位器电路。

图3说明根据一些实施例的电平移位器电路的不同节点处的电压波形。

图4说明根据一些实施例的具有升压电路的电平移位器电路。

现将参考附图描述本发明实施例。在图中，一般来说，相似的元件符号指示相同或功能类似的元件。另外，一般来说，元件符号的最左数字识别其中元件符号第一次出现的图。

具体实施方式

以下揭示内容提供用于实施所提供的标的物的不同特征的许多不同实施例或实例。下文描述组件及布置的特定实例以简化本揭示。当然，这些仅为实例且不希望具限制性。举例来说，在以下描述中第一特征形成于第二特征上方或第一特征形成于第二特征上可包含其中第一及第二特征是直接接触而形成的实施例，且也包含其中额外特征可形成于第一特征与第二特征之间使得第一特征与第二特征可不直接接触的实施例。另外，本揭示可在各种实例中重复元件符号及/或字母。此重复是出于简单及明确目的，且其本身并不指示所论述的各种实施例及/或配置之间的关系。

跨越电平移位器电路的电压域的高电压之间的较大差值可影响电平移位器电路的操作。例如设定大小、多阈值等等的解决方案已用于解决电平移位器电路的这个问题。然而，这些解决方案引入显著的面积及/或电力额外开销而具有有限的益处。如下文详细论述，本发明的各种实施例将升压电路加入到核心电平移位器电路以在内部提升较低电压，以便有效地使两个高电压之间的差值更小。

图1说明根据一些实施例的具有升压电路的电平移位器电路。电平移位器电路100包含核心电平移位器电路101及一或多个升压电路125及127。

核心电平移位器电路101包含晶体管111及113，其可为(但不限于)n型场效应晶体管(FET)，例如n型金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。在一个实例中，晶体管111及113操作为下拉装置。核心电平移位器电路101还包含晶体管103、105、107、及109，其可为(但不限于)p型FET，例如p型MOSFET。在一个实例中，晶体管103、105、107、及109操作为上拉装置。在此实例中，晶体管103及105操作为有源负载，其具有到核心电平移位器电路101的输出端子的交叉耦合连接。