[发明专利]量子点透镜型直下式LED背光源的制作方法

说明书

技术领域

本发明属于LED背光源技术领域，涉及一种背光源的制作方法，具体地说涉及一种量子点透镜型直下式LED背光源的制作方法。

背景技术

液晶显示作为当今社会各领域的主流显示技术越来越受到人们的青睐，随着科技的进步和人们生活水平的提高，人们对液晶显示设备的品质要求也越来越高，尤其在色域和亮度方面。为了提高液晶显示的性能，近年来发光二极管(LED)由于具有体积小、能耗低、发热小、长寿命、实时色彩可控等优点已逐步取代传统的冷阴极荧光灯管，成为新一代液晶显示背光源。

目前LED背光的结构是利用篮光LED去激发黄色荧光粉形成白光背光源，但由于光源中缺少红光成分，色域值只能达到NTSC 65％～72％。为了进一步提高色域值，技术人员普遍采用了蓝光芯片同时激发红光荧光粉、绿光荧光粉的方式，但由于现用荧光粉的半波宽较宽，故即使采用这种方式，也只能将背光源的色域值提升至NTSC 80％左右。同时，现有荧光粉的激发效率低，为实现高色域白光需要大量荧光粉，导致LED封装过程中荧光粉的浓度(荧光粉占封装胶水的比例)很高，从而极大地增加了封装作业的难度以及产品的不良率。荧光粉还存在光谱宽、光衰大、颗粒均匀度差的问题，妨碍了液晶显示的亮度和色度的提高。

量子点荧光粉是一种新型的纳米荧光材料，其粒径只有2-10nm，仅相当于10-50个原子的宽度，有光谱随尺寸可调、发射峰半波宽窄、斯托克斯位移大、激发效率高等一系列独特的光学性能，受到LED背光行业的广泛关注。目前，量子点荧光粉实现高色域白光的方式主要有：(1)将量子点荧光粉制成光学膜材，填充于导光板或者贴于液晶屏幕内，通过蓝光或紫外光背光灯珠激发，获得白光；(2)将量子点荧光粉制成玻璃管，置于屏幕侧面，通过蓝光或紫外光背光灯珠激发，获得白光。但是，这两种实现方式的工艺复杂、光转化效率低、成本较高，很难实现大规模产业化，同时量子点荧光粉易团聚失效，且色域值依然不理想。

发明内容

为此，本发明所要解决的技术问题在于现有量子点背光源制作工艺复杂、成本高，且光转化效率低、材料易团聚失效、色域值不理想，从而提出一种制作工艺简单、成本低廉、显色效果优异的量子点透镜型直下式LED背光源的制作方法。

为解决上述技术问题，本发明的技术方案为：

本发明提供一种量子点透镜型直下式LED背光源的制作方法，其包括如下步骤：

a、按照质量比1：1-300将发光材料A与封装胶水混合均匀，制得荧光胶A，所述发光材料A为量子点荧光粉和/或稀土元素掺杂的无机荧光粉；

b、将所述荧光胶A滴入固定有发光芯片的LED支架中，并将滴入的所述荧光胶A固化，得到LED灯珠；

c、按照质量比1：1-300将量子点荧光粉与封装胶水混合均匀，制得量子点荧光胶B；

d、将所述荧光胶B涂覆于LED透镜内表面或外表面，并将涂覆的量子点荧光胶B固化；

e、在固化后的量子点荧光胶B表面涂覆封装胶水，并将所述封装胶水固化，得到具有封装胶保护层的LED透镜，将得到的LED透镜固定于所述LED灯珠外部，即得到LED背光源。

作为优选，所述量子点荧光粉、所述稀土元素掺杂的无机荧光粉发射光峰值波长为450-660nm，所述量子点荧光粉为BaS、AgInS₂、NaCl、Fe₂O₃、In₂O₃、InAs、InN、InP、CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、GaAs、GaN、GaS、GaSe、InGaAs、MgS、MgSe、MgTe、PbS、PbSe、PbTe、Cd(S_xSe_1-x)、BaTiO₃、PbZrO₃、CsPbCl₃、CsPbBr₃、CsPbI₃中的至少一种。

作为优选，所述无机荧光粉为硅酸盐、铝酸盐、磷酸盐、氮化物、氟化物荧光粉中的至少一种。

作为优选，所述发光芯片为发射光峰值波长230-400nm的紫外光芯片或发射光峰值波长420-480nm的蓝光芯片。

作为优选，所述步骤b中，所述荧光胶A的体积占所述LED支架体积的90-100％，所述荧光胶A在80-160℃下烘烤0.5-8h固化。

作为优选，所述封装胶水为环氧类封装胶水、有机硅类封装胶水、聚氨酯封装胶水中的至少一种。