[发明专利]量子点透镜型直下式LED背光源的制作方法在审

专利信息
申请号: 201611082008.2 申请日: 2016-11-30
公开(公告)号: CN106784238A 公开(公告)日: 2017-05-31
发明(设计)人: 高丹鹏;张志宽;邢其彬;苏宏波 申请(专利权)人: 芜湖聚飞光电科技有限公司
主分类号: H01L33/48 分类号: H01L33/48;H01L33/50;H01L33/54;G02F1/13357
代理公司: 深圳市精英专利事务所44242 代理人: 任哲夫
地址: 241000 安徽省芜湖市芜湖经*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 量子 透镜 型直下式 led 背光源 制作方法
【权利要求书】:

1.一种量子点透镜型直下式LED背光源的制作方法,其特征在于,包括如下步骤:

a、按照质量比1:1-300将发光材料A与封装胶水混合均匀,制得荧光胶A,所述发光材料A为量子点荧光粉和/或稀土元素掺杂的无机荧光粉;

b、将所述荧光胶A滴入固定有发光芯片的LED支架中,并将滴入的所述荧光胶A固化,得到LED灯珠;

c、按照质量比1:1-300将量子点荧光粉与封装胶水混合均匀,制得量子点荧光胶B;

d、将所述量子点荧光胶B涂覆于LED透镜内表面或外表面,并将涂覆的量子点荧光胶B固化;

e、在固化后的量子点荧光胶B表面涂覆封装胶水,并将所述封装胶水固化,得到具有封装胶保护层的LED透镜,将得到的LED透镜固定于所述LED灯珠外部,即得到LED背光源。

2.根据权利要求1所述的量子点透镜型直下式LED背光源的制作方法,其特征在于,所述量子点荧光粉、所述稀土元素掺杂的无机荧光粉发射光峰值波长为450-660nm,所述量子点荧光粉为BaS、AgInS2、NaCl、Fe2O3、In2O3、InAs、InN、InP、CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、GaAs、GaN、GaS、GaSe、InGaAs、MgS、MgSe、MgTe、PbS、PbSe、PbTe、Cd(SxSe1-x)、BaTiO3、PbZrO3、CsPbCl3、CsPbBr3、CsPbI3中的至少一种。

3.根据权利要求2所述的量子点透镜型直下式LED背光源的制作方法,其特征在于,所述无机荧光粉为硅酸盐、铝酸盐、磷酸盐、氮化物、氟化物荧光粉中的至少一种。

4.根据权利要求3所述的量子点透镜型直下式LED背光源的制作方法,其特征在于,所述发光芯片为发射光峰值波长230-400nm的紫外光芯片或发射光峰值波长420-480nm的蓝光芯片。

5.根据权利要求4所述的量子点透镜型直下式LED背光源的制作方法,其特征在于,所述步骤b中,所述荧光胶A的体积占所述LED支架体积的90-100%,所述荧光胶A在80-160℃下烘烤0.5-8h固化。

6.根据权利要求5所述的量子点透镜型直下式LED背光源的制作方法,其特征在于,所述封装胶水为环氧类封装胶水、有机硅类封装胶水、聚氨酯封装胶水中的至少一种。

7.根据权利要求6所述的量子点透镜型直下式LED背光源的制作方法,其特征在于,所述步骤b后还包括将所述LED灯珠焊接于FPC表面的步骤,所述焊接采用回流焊,所述回流焊最高温度为240-275℃,最高温度区间内加热时间为10-30s。

8.根据权利要求7所述的量子点透镜型直下式LED背光源的制作方法,其特征在于,所述步骤d中,所述量子点荧光胶B的涂覆厚度为5-500μm,所述量子点荧光胶B在230-400nm的紫外光下照射3-100s固化。

9.根据权利要求8所述的量子点透镜型直下式LED背光源的制作方法,其特征在于,所述步骤e中,所述封装胶水的涂覆厚度为10-1000μm,所述封装胶水在230-400nm的紫外光下照射5-200s固化。

10.根据权利要求9所述的量子点透镜型直下式LED背光源的制作方法,其特征在于,所述量子点荧光粉为粉末状或溶剂分散状。

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