[发明专利]一种NMOS低压触发的双向SCR结构在审
| 申请号： | 201611077368.3 | 申请日： | 2016-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN106783992A | 公开（公告）日： | 2017-05-31 |
| 发明（设计）人： | 蔡小五;魏俊秀;高哲;梁超;刘兴辉;翟丽蓉;吕川;闫明 | 申请（专利权）人： | 辽宁大学 |
| 主分类号： | H01L29/74 | 分类号： | H01L29/74;H01L27/02;H01L29/78 |
| 代理公司： | 沈阳杰克知识产权代理有限公司21207 | 代理人： | 郑贤明 |
| 地址： | 110000 辽宁*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 nmos 低压 触发 双向 scr 结构 | ||
1.一种NMOS低压触发的双向SCR结构，包括有P型衬底（1），其特征在于：在P型衬底（1）上形成PWell阱（2）NWell阱（3），其中PWell阱（2）设在中间位置， PWell阱（2）两侧形成NWell阱（3）；一侧的NWell阱（3）里形成第一N+注入区（4）和第一P+注入区（5）,另一侧的NWell阱（3）里形成第二N+注入区（6）和第二P+注入区（7）；在中间的PWell阱（2）与两侧的NWell阱（3）交界处分别形成第三N+注入区（8）或第四N+注入区（9）。
2.根据权利要求1所述的一种NMOS低压触发的双向SCR结构，包括有P型衬底（1），其特征在于：所述的第三N+注入区（8）与第四N+注入区（9）之间形成浮空的栅氧化层多晶硅栅（10）。
3.根据权利要求1所述的一种NMOS低压触发的双向SCR结构，包括有P型衬底（1），其特征在于：所述的第一N+注入区（4）和第一P+注入区（5）构成T1端口，第二N+注入区（6）和第二P+注入区（7）构成T2端口。
4.根据权利要求3所述的一种NMOS低压触发的双向SCR结构，包括有P型衬底（1），其特征在于：从T1到T2，正向ESD电流泄放路径SCR2为，由第一P+注入区（5）依次经过NWell阱（3）、PWell阱（2）、NWell阱（3），最后到第二N+注入区（6）；从T2到T1，反向ESD电流泄放路径SCR1为，由第二P+注入区（7）依次经过NWell阱（3）、PWell阱（2）、NWell阱（3），最后到第一N+注入区（4）。
5.根据权利要求4所述一种NMOS低压触发的双向SCR结构，包括有P型衬底（1），其特征在于：所述的SCR1与SCR2通路长度一致，且为对称性的结构。
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