[发明专利]一种体心立方钽涂层的制备方法有效
| 申请号： | 201611053723.3 | 申请日： | 2016-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN108103463B | 公开（公告）日： | 2022-01-14 |
| 发明（设计）人： | 牛云松;朱圣龙;陈明辉;沈明礼;鲍泽斌;王福会;王世臣;杨军 | 申请（专利权）人： | 中国科学院金属研究所;东北大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/14 |
| 代理公司： | 沈阳优普达知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 21234 | 代理人： | 张志伟 |
| 地址： | 110016 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 立方 涂层 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种体心立方钽涂层的制备方法，其特征在于：采用负辉光区磁控溅射获得体心立方钽涂层，涂层中α-Ta的含量在97wt%以上，钽涂层厚度为10～100μm；
负辉光区磁控溅射过程中，基片零件放置在阳极和阴极之间的负辉光区中；
负辉光区磁控溅射过程中，基片零件加热温度为250℃～300℃之间；
负辉光区磁控溅射过程中，溅射功率密度为3W/cm2～15W/cm2之间；
负辉光区磁控溅射过程中，基体与靶材的距离为25～35 mm；
负辉光区磁控溅射过程中，工作室本底真空抽至1.2×10-2～5×10-3Pa；
负辉光区磁控溅射过程中，使用的工作气体为纯氩气，氩气压力为1.2×10-1～2.5×10-1Pa；
负辉光区磁控溅射过程中，使用的靶材为纯钽。
2.按照权利要求1所述的体心立方钽涂层的制备方法，其特征在于：负辉光区磁控溅射过程中，使用的电源为直流电源或脉冲电源。
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