[发明专利]防伪材料及其制备方法

说明书

本发明公开了一种防伪材料及其制备方法，该防伪材料的制备方法包括以下步骤：(1)制备混合物一：混合B、N、Mo、C和S粉末并进行高温加压处理，得到液相的混合物一；(2)制备混合物二：混合Si粉末和H₂并进行高温加压处理，得到气液混合状的混合物二；(3)导入培养基：混合混合物一和混合物二，并进行超声波处理，将经过处理的混合物一和混合物二导入固定形态的培养基；(4)生成二维纳米片：对导入到固定形态的培养基的混合物一和混合物二进行高频磁力电极反应处理，于培养基生成至少一层二维纳米片；(5)剥离：对二维纳米片进行剥离处理，将至少一层二维纳米片与培养基剥离，获得所述防伪材料，得到防伪材料不易被仿冒。

技术领域

本发明涉及防伪材料领域，尤其涉及一种防伪材料及其制备方法。

背景技术

目前市场上的防伪材料多以微观颗粒的物理随机排列作为识别被标识物的真伪，通过光刻或者蚀刻的方式得到这些微观颗粒活着符号。生产工艺复杂，对原材料的要求极高，生产效率低下，并且现有的微观颗粒防伪技术无法直观存储被标识物信息，如生产品类、生产厂家、生产批次等，现有技术只能通过防伪颗粒同其他电子技术进行绑定后完成信息的存储和溯源，同时，物理识别的方式仍然有一定的被仿冒的风险。

发明内容

本发明的主要目的在于解决防伪材料制备工艺复杂、容易被仿冒的技术问题。

为实现上述目的，本发明提供的一种防伪材料的制备方法，包括以下步骤：

(1)制备混合物一：混合B、N、Mo、C和S粉末，对混合后的B、N、Mo、C和S粉末进行高温加压处理，得到液相的混合物一；

(2)制备混合物二：混合Si粉末和H₂，对Si粉末和H₂进行高温加压处理，得到气液混合状的混合物二；

(3)导入培养基：混合所述混合物一和所述混合物二，并进行超声波处理，将经过超声波处理的混合物一和混合物二导入固定形态的培养基；

(4)生成二维纳米片：对导入到固定形态的培养基的混合物一和混合物二进行高频磁力电极反应处理，于所述固定形态的培养基生成至少一层二维纳米片；

(5)剥离：对所述二维纳米片进行剥离处理，将所述至少一层二维纳米片与所述固定形态的培养基剥离，获得所述防伪材料。

优选的，所述固定形态的培养基设有牺牲层，在步骤(3)中，将经过超声波处理的混合物一和混合物二导入固定形态的培养基，混合物一和混合物二覆盖所述牺牲层和所述固定形态的培养基未设有牺牲层的区域；在步骤(4)中，于所述牺牲层和所述固定形态的培养基未设有牺牲层的区域生成至少一层二维纳米片；在步骤(5)中，对所述二维纳米片进行剥离处理，将牺牲层和位于所述牺牲层上的至少一层二维纳米片与所述固定形态的培养基进行剥离，获得所述防伪材料，所述防伪材料包括牺牲层和位于所述牺牲层的至少一层二维纳米片。

优选的，所述混合物二与所述混合物一的质量比大于3。

优选的，所述步骤(1)中，B、N、Mo、C和S粉末的摩尔比为4～13:4～13:0.5～5:7～17:5～15。

优选的，所述步骤(1)中，对B、N、Mo、C和S粉末在离心混合筛中进行混合，混合的时间为10～18个小时，对混合后的B、N、Mo、C和S粉末进行高温加压处理，所述高温加压处理是在热压炉进行，所述高温加压处理的条件为：在保护气体作用下，气体压强为2.5～7个大气压，温度为1000～1800度，压力为30～40Mpa。

优选的，所述步骤(2)中，H₂和Si粉末的摩尔比为1～5:0.5～3。

优选的，所述步骤(2)中，高温加压处理的条件为：压力为26～29Mpa，温度为1500～1700度，反应时间为30～45小时。