[发明专利]一种位线地址选择电路及包含该电路的非易失性存储器

权利要求书

1.一种用于具有至少双存储体的非易失性存储器的位线地址选择电路，包括比较放大器，其特征在于，还包括至少第一组位线地址选择器和至少第二组位线地址选择器，所述第一组位线地址选择器与所述非易失性存储器的第一存储体直接连接，所述第二组位线地址选择器与所述非易失性存储器的第二存储体直接连接，

每组位线地址选择器分别包括两个位线地址选择器，两个所述位线地址选择器之一的输入端与所述比较放大器的同相输入端相连，两个所述位线地址选择器的另一个的输入端与所述比较放大器的反相输入端相连。

2.如权利要求1所述的位线地址选择电路，其特征在于，所述第一组位线地址选择器包括第一位线地址选择器和第二位线地址选择器，所述第二组位线地址选择器包括第三位线地址选择器和第四位线地址选择器，

其中，所述第一位线地址选择器和所述第四位线地址选择器与所述比较放大器的同相输入端相连，所述第二位线地址选择器和所述第三位线地址选择器与所述比较放大器的反相输入端相连，

其中，所述第一位线地址选择器和所述第三位线地址选择器连接第一使能信号，所述第二位线地址选择器和所述第四位线地址选择器连接第二使能信号。

3.如权利要求2所述的位线地址选择电路，其特征在于，所述第一使能信号和所述第二使能信号之一有效。

4.如权利要求3所述的位线地址选择电路，其特征在于，当所述第一使能信号有效时，所述第一存储体有效时，所述第二存储体无效；当所述第二使能信号有效时，所述第二存储体有效时，所述第一存储体无效。

5.如权利要求2所述的位线地址选择电路，其特征在于，所述位线地址选择电路还包括位线预充电模块，其中所述第一位线地址选择器、第二位线地址选择器、第三位线地址选择器和第四位线地址选择器均连接至所述位线预充电模块。

6.如权利要求1所述的位线地址选择电路，其特征在于，所述比较放大器的同相输入端连接至参考电流信号。

7.如权利要求1所述的位线地址选择电路，其特征在于，所述位线地址选择电路还包括缓冲器，所述缓冲器的输入端连接至所述比较放大器的输出端。

8.如权利要求5所述的位线地址选择电路，其特征在于，所述第一位线地址选择器包括第一PMOS管，所述第二位线地址选择器包括第二PMOS管，所述第三位线地址选择器包括第三PMOS管以及所述第四位线地址选择器包括第四PMOS管，其中：

所述第一PMOS管的源极连接所述比较放大器的同相输入端，所述第二PMOS管的源极连接所述比较放大器的反相输入端，所述第一PMOS管和所述第二PMOS管的栅极分别连接所述第一使能信号和所述第二使能信号，漏极均连接所述第一存储体；

所述第三PMOS管的源极连接所述比较放大器的反相输入端，所述第四PMOS管的源极连接所述比较放大器的同相输入端，所述第三PMOS管和所述第四PMOS管的栅极分别连接所述第一使能信号和所述第二使能信号，漏极均连接所述第二存储体。

9.如权利要求8所述的位线地址选择电路，其特征在于，所述第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管和第四PMOS管的源极均连接至所述位线预充电模块。

10.一种具有至少双存储体的非易失性存储器，其特征在于，包括如权利要求1-9之一所述的位线地址选择电路。