[发明专利]一种钙钛矿量子点/聚合物复合荧光膜的制备方法

权利要求书

1.一种钙钛矿量子点/聚合物复合荧光膜的制备方法，包括以下步骤：

S1、将钙钛矿原料组分和聚合物组分溶解于有机溶剂中，得到成膜溶液；

S2、将所述成膜溶液涂覆在基底材料上；

S3、将涂覆有成膜溶液的基体材料连续通过数个温度区进行加热，生成钙钛矿量子点/聚合物复合荧光膜；

所述钙钛矿原料组分为能够用于制备通式为ABX₃的钙钛矿量子点的有机盐和/或无机盐，其中，A为金属阳离子或带正电荷的有机胺离子，B为金属阳离子，X为卤素离子；

其中，在步骤S1的所述成膜溶液中还含有作为添加剂的有机胺，所述有机胺为4-20个碳的脂肪胺和芳香胺中的至少一种，所述聚合物与有机胺的重量比为10:(0.01～1)。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，数个温度区各自的温度在30-120℃之间。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，相邻的温度区之间相差0-25℃。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，相邻的温度区之间相差5-20℃。

5.根据权利要求1-4中任一项所述的制备方法，其特征在于，所述数个温度区为2-8个温度区。

6.根据权利要求1-4中任一项所述的制备方法，其特征在于，所述数个温度区为为2-4个温度区。

7.根据权利要求1-4中任一项所述的制备方法，其特征在于，在所述数个温度区中，涂覆有成膜溶液的基体材料通过的最后一个温度区的温度最低。

8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，涂覆有成膜溶液的基体材料连续通过的数个温度区的温度依次下降。

9.根据权利要求1-4中任一项所述的制备方法，其特征在于，所述数个温度区包括第一温度区、第二温度区和第三温度区，所述第一温度区、第二温度区和第三温度区的温度分别在40-120℃、40-90℃和30-85℃；所述第一温度区和第二温度区的温度相同或不同，所述第三温度区的温度低于第一温度区和第二温度区的温度。

10.根据权利要求1-4中任一项所述的制备方法，其特征在于，在步骤S3中，涂覆有成膜溶液的基体材料在每个温度区的加热时间为1-30分钟。

11.根据权利要求1-4中任一项所述的制备方法，其特征在于，在步骤S3中，涂覆有成膜溶液的基体材料在每个温度区的加热时间为4-20分钟。

12.根据权利要求1-4中任一项所述的制备方法，其特征在于，涂覆有成膜溶液的基体材料以0.01-100m/min的速率通过各个温度区进行加热。

13.根据权利要求1-4中任一项所述的制备方法，其特征在于，所述制备方法还包括：

步骤S4、退火处理，包括：将步骤S3生成钙钛矿量子点/聚合物复合荧光膜连续地通过数个附加温度区进行退火；所述数个附加温度区各自的温度在50-100℃。

14.根据权利要求13所述的制备方法，其特征在于，

所述数个附加温度区为2-3个附加温度区。

15.根据权利要求13所述的制备方法，其特征在于，涂覆有成膜溶液的基体材料在步骤S3中通过的最后一个温度区的温度低于其在步骤S4中通过的第一个附加温度区的温度。

16.根据权利要求13所述的制备方法，其特征在于，所述数个附加温度区的温度递增。