[发明专利]一种全彩QLED显示器件及其制作方法在审
| 申请号: | 201611039378.8 | 申请日: | 2016-11-21 |
| 公开(公告)号: | CN106784209A | 公开(公告)日: | 2017-05-31 |
| 发明(设计)人: | 徐超 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电技术有限公司 |
| 主分类号: | H01L33/06 | 分类号: | H01L33/06;H01L33/50;H01L33/00;B82Y30/00 |
| 代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙)44300 | 代理人: | 黄威 |
| 地址: | 430079 湖北省武汉市*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 全彩 qled 显示 器件 及其 制作方法 | ||
【技术领域】
本发明涉及平板显示技术领域,特别涉及一种全彩QLED显示器件及其制作方法。
【背景技术】
量子点(Quantum Dots)是一些肉眼无法看到的、极其微小的半导体纳米晶体,是一种粒径不足10纳米的颗粒。通常说来,量子点是由锌、镉、硒和硫原子组合而成。量子点有一个与众不同的特性,即每当受到光或电的刺激,量子点便会发出有色光线,光线的颜色由量子点的组成材料和大小形状决定,这一特性使得量子点能够改变光源发出的光线颜色。
有机发光二极管(OLED)是新一代LED的研究热点,然而其在封装技术及使用寿命上都存在着无法避免的问题。量子点作为新型的发光材料,具有光色纯度高、发光量子效率高、发光颜色可调、使用寿命长等优点,成为目前新型LED发光材料的研究热点。因此,以量子点发光材料作为发光层的量子点发光二极管(QLED)成为了目前新型LED研究的主要方向,并在照明以及平板显示领域具有广阔的应用前景。量子点发光二极管(QLED)因具有色域广、色纯度高、低功耗、低成本、稳定性好,被誉为继OLED之后新一代照明显示技术。目前制备白光QLED采用两种方法:1)由红绿蓝量子点发光材料通过电致发光组合形成白光;2)采用蓝光的QLED搭配红色量子点光致发光区和绿色量子点光致发光区组成。由于蓝光量子点发光材料的发光效率较低,因此高效的蓝光量子点发光材料成为制约QLED显示器发展的瓶颈。
【发明内容】
本发明的目的在于提供一种全彩QLED显示器件及其制作方法,以解决现有技术中,采用蓝光的QLED搭配红色量子点光致发光区和绿色量子点光致发光区组成的QLED显示器件,由于蓝光量子点发光材料的发光效率较低,因此高效的蓝光量子点发光材料成为制约QLED显示器发展的瓶颈的问题。
本发明的技术方案如下:
一种全彩QLED显示器件,包括基板及在所述基板上依次层叠设置的阳极层、空穴传输层、发光层、电子传输层、阴极层与彩膜层,及设在所述彩膜层上的透明盖板;
其中,所述发光层的制作材料为绿光量子点发光材料,所述彩膜层包括间隔设置的多个光提取层,及设置于多个所述光提取层之间的红色像素层与蓝色像素层。
优选地,每个所述光提取层两边分别为所述红色像素层与所述蓝色像素层。
优选地,所述红色像素层的制作材料为光致发光的红色量子点发光材料。
优选地,所述蓝色像素层的制作材料为光致发光的蓝色上转换发光材料。
优选地,所述发光层的发光波长在所述蓝色上转换发光材料的吸收波长范围之内。
优选地,所述红色像素层与所述蓝色像素层均通过喷墨打印的方式填充在多个所述光提取层之间。
优选地,所述光提取层的制作材料为二氧化钛。
一种全彩QLED显示器件的制作方法,包括以下步骤:
在基板上依次层叠形成阳极层、空穴传输层、发光层、电子传输层、阴极层;
在透明盖板上形成一层光提取层;
在所述光提取层上形成多个间隔的像素凹槽;
在多个所述像素凹槽内分别形成红色像素层与蓝色像素层,所述光提取层、所述红色像素层与所述蓝色像素层共同形成彩膜层;
将所述彩膜层与所述阴极层对组压合,形成所述全彩QLED显示器件。
优选地,在多个所述像素凹槽内分别形成红色像素层与蓝色像素层,具体包括:将蓝色上转换发光材料与红光量子点发光材料,分别通过喷墨打印的方式填充到与其对应的所述像素凹槽内,以形成所述蓝色像素层与所述红色像素层。
优选地,所述彩膜层与所述阴极层通过框胶进行对组压合,形成所述全彩QLED显示器件。
本发明的有益效果:
本发明的一种全彩QLED显示器件及其制作方法,通过使用绿光量子点发光材料作为发光层,并在彩膜层上间隔设置多个光提取层,在多个光提取层之间设置蓝色像素层和绿色像素层,有效地解决蓝光量子点发光材料寿命较短的问题,实现超宽色域显示,而且其光提取层可以大大提高绿光QLED的出光率,进而提高绿光QLED的发光效率。
【附图说明】
图1为本发明实施例的一种全彩QLED显示器件的制作方法的第一步骤形成的绿光QLED的整体结构示意图;
图2为本发明实施例的一种全彩QLED显示器件的制作方法的第二步骤中在透明盖板上形成的光提取层结构示意图;
图3为本发明实施例的一种全彩QLED显示器件的制作方法的第三步骤中在光提取层上形成的多个像素凹槽的结构示意图;
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