[发明专利]显示装置及其制造方法在审
申请号: | 201611036458.8 | 申请日: | 2016-11-23 |
公开(公告)号: | CN107123750A | 公开(公告)日: | 2017-09-01 |
发明(设计)人: | 神谷哲仙 | 申请(专利权)人: | 株式会社日本显示器 |
主分类号: | H01L51/56 | 分类号: | H01L51/56;H01L51/52 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司11322 | 代理人: | 邸万杰,徐飞跃 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种显示装置的制造方法,其特征在于,包括以下步骤:
形成第一电极,
形成覆盖所述第一电极的端部的绝缘膜,
在所述第一电极和所述绝缘膜之上形成EL层,
在所述EL层之上形成第二电极,
在所述第二电极之上形成包含无机化合物的第一层,
在所述第一层之上以与所述绝缘膜和所述EL层重叠的方式形成包含有机化合物的第二层,
在与所述绝缘膜重叠的区域使第二层变薄,以使得所述第一层露出,
在所述第二层之上形成包含无机化合物的第三层。
2.如权利要求1所述的显示装置的制造方法,其特征在于:
所述第二层吸收在所述第一电极的所述端部的由所述绝缘膜引起的倾斜。
3.如权利要求1所述第显示装置的制造方法,其特征在于:
所述第二层从与所述第一电极重叠的区域至与所述绝缘膜重叠的区域具有平坦的上表面。
4.一种显示装置的制造方法,其特征在于,包括以下步骤:
在基板之上形成基材,
在所述基材之上形成第一电极,
形成覆盖所述第一电极的端部的绝缘膜,
在所述第一电极和所述绝缘膜之上形成EL层,
在所述EL层之上形成第二电极,
在所述第二电极之上形成包含无机化合物的第一层,
在所述第一层之上以与所述绝缘膜和所述EL层重叠的方式形成包含有机化合物的第二层,
在与所述绝缘膜重叠的区域使第二层变薄,以使得所述第一层露出,
在所述第二层之上形成包含无机化合物的第三层,
从所述基材剥离所述基板。
5.如权利要求4所述的显示装置的制造方法,其特征在于:
所述第二层形成为吸收在所述第一电极的所述端部的由所述绝缘膜引起的倾斜。
6.如权利要求4所述的显示装置的制造方法,其特征在于:
所述第二层形成为从与所述第一电极重叠的区域至与所述绝缘膜重叠的区域具有平坦的上表面。
7.一种显示装置,其特征在于,包括:
分别具有发光元件且彼此相邻的第一子像素和第二子像素,其中所述发光元件具有第一电极、第二电极和被夹在所述第一电极与所述第二电极之间的EL层;
绝缘膜,其位于所述第一子像素与所述第二子像素之间,与所述第一子像素和所述第二子像素的所述第一电极重叠;
与所述第一子像素和所述第二子像素的所述发光元件重叠,以无机化合物为主要成分的第一层;
位于所述第一层之上,以有机化合物为主要成分的第二层;和
位于所述第二层之上,以无机化合物为主要成分的第三层,
所述第二层在所述第一子像素与所述第二子像素之间是分开的。
8.如权利要求7所述的显示装置,其特征在于:
所述绝缘膜从所述第二层突出。
9.如权利要求7所述的显示装置,其特征在于:
所述第一层和所述第三层跨所述第一子像素和所述第二子像素相连。
10.如权利要求7所述的显示装置,其特征在于:
所述第二层具有平坦的上表面。
11.如权利要求7所述的显示装置,其特征在于:
所述第二层具有比所述绝缘膜的厚度小的厚度。
12.如权利要求11所述的显示装置,其特征在于:
所述绝缘膜的所述厚度为15μm以上50μm以下,
所述第二层的所述厚度为1μm以上5μm以下。
13.如权利要求7所述的显示装置,其特征在于:
所述无机化合物选自氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、氧氮化硅。
14.如权利要求7所述的显示装置,其特征在于:
所述第二层包含树脂。
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