[发明专利]一种有机薄膜晶体管及其制造方法

说明书

一种有机薄膜晶体管及其制造方法。本发明是要解决现有薄膜晶体管中自图案化绝缘层形成的过孔较难实现上下电极层互联的问题。有机薄膜晶体管包括绝缘基板、源漏电极层、有机半导体层、自图案化有机栅绝缘层、栅电极层、有机平坦化层和像素电极。方法：形成依次包括绝缘基板、源漏电极层、有机半导体层、自图案化有机栅绝缘层、栅电极层和有机平坦化层在内的多层结构。本发明继承了自图案化绝缘层工艺简单的优点，同时解决了上下电极层互联断线的问题，实现了低成本制备有机薄膜晶体管。

技术领域

本发明涉及薄膜晶体管的制作工艺领域，尤其涉及一种有机薄膜晶体管及其制造方法。

背景技术

随着半导体技术的发展，视频产品，特别是数字化的视频或影像装置已经成为在一般日常生活中所常见的产品。这些数字化的视频或影像装置中，显示器是一个重要组件，以显示相关信息。

近年来，对有机薄膜晶体管器件的研究和应用取得了长足的进展，作为下一代新的显示技术备受人们的关注。与无机薄膜晶体管相比，有机薄膜晶体管具有更多的优点：首先现在有更多更新的制作有机薄膜的技术，如Lang-muir-Blodgett(LB)技术、分子自组装技术、真空蒸镀、喷墨打印等；其次在制作有机薄膜的过程中，对气体的条件和纯度的要求比较低，从而简化了制作工艺，降低了生产成本。同时，使用有机材料不但可以制作尺寸更小的器件，而且还可以通过适当地修饰有机分子结构来改善OTFT器件的性能。除此之外，有机薄膜晶体管器件还具有很好的柔韧性，携带起来更加方便。有研究表明，对＂全有机＂晶体管(全部用有机材料制成的晶体管)进行适度地扭曲或弯曲，并不会明显地改变器件的电学特性，这种优良的特性进一步拓宽了有机薄膜晶体管的使用范围。随着对有机薄膜晶体管研究的深入，发现目前仍然存在许多缺点和问题。

有机薄膜晶体管是以有机半导体材料为有源层的场效应晶体管器件，一般由栅极、有机有源层、绝缘层、源漏电极构成。其结构就栅电极的位置而言，可分为底栅结构和项栅结构两类。根据源、漏电极与有源层的位置不同，又分为顶接触结构和底接触结构两类。有机薄膜晶体管具有低成本、易于弯折且与柔性显示兼容性较好的优点，正逐渐成为未来柔性显示研究的热点。为了尽可能降低的生产成本，自图案化(self-patterning)的绝缘层或钝化层正逐步被开发应用于有机薄膜晶体管中。其优点在于能够直接通过曝光显影得到需要的图案，减少了刻蚀等工艺步骤进而减少生产成本，但是其缺点在于自图案化的绝缘层为负性光阻，因此其形成的图案为“倒梯形”易导致后续的互联存在断线问题。基于此，本案提出一种过孔互联的方法，该方法继承了自图案化绝缘层工艺简单的优点，同时解决了可能存在的上下电极层互联断线的问题，进而真正意义上实现低成本制备有机薄膜晶体管。

发明内容

针对上述现有技术中的问题，本申请提出了一种低温多晶硅薄膜晶体管及其制作方法。

本发明所要解决的技术问题是现有薄膜晶体管中自图案化绝缘层形成的过孔较难实现上下电极层互联。

为了解决上述技术问题，本发明提供了一种有机薄膜晶体管及其制造方法。

根据本发明的第一个方面，提供了一种有机薄膜晶体管，包括：

绝缘基板；

源漏电极层，其形成在所述绝缘基板上；

有机半导体层，其形成在所述源漏电极层上；

自图案化有机栅绝缘层，其形成在所述有机半导体层上；所述自图案化有机栅绝缘层内设置有第一过孔；

栅电极层，其形成在所述自图案化有机栅绝缘层上；

有机平坦化层，其形成在所述栅电极层上；所述有机平坦化层内设置有第二过孔；所述第二过孔位于所述第一过孔之内；

像素电极。

优选的是，所述源漏电极层包含有所述有机薄膜晶体管的源极、漏极以及位于所述源极和漏极之间的沟道。