[发明专利]电子级多晶硅生产中循环氢气的深度净化方法有效

申请号：	201611020410.8	申请日：	2016-11-21
公开（公告）号：	CN106744685B	公开（公告）日：	2018-10-23
发明（设计）人：	宗冰;张宝顺;王体虎	申请（专利权）人：	亚洲硅业（青海）有限公司
主分类号：	C01B3/50	分类号：	C01B3/50
代理公司：	北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371	代理人：	李丙林
地址：	810007 青海省西***	国省代码：	青海;63
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摘要：
搜索关键词：	循环氢气氯自由基深度净化电子级多晶硅活化等离子体装置含氯化合物氢化物等离子体活化反应副产物氢化物发生强电磁场取代反应提纯技术高沸点强极性生产尾气引入
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【权利要求书】：

1.一种电子级多晶硅生产中循环氢气的深度净化方法，其特征在于，将含有Cl₂、氢化物杂质的循环氢气通入等离子体装置中使所述Cl₂活化得到氯自由基，所述氯自由基与所述氢化物反应得到含氯化合物，向所述等离子体装置中加入络合剂，以使生成的所述含氯化合物与所述络合剂反应得到络合物实现所述含氯化合物与所述循环氢气的分离。

2.根据权利要求1所述的深度净化方法，其特征在于，所述等离子体装置的电极上设置有电介质。

3.根据权利要求2所述的深度净化方法，其特征在于，所述电介质为石英或氧化铝。

4.根据权利要求1所述的深度净化方法，其特征在于，将具有所述含氯化合物的所述循环氢气通入液化装置中，使所述含氯化合物液化从而实现所述含氯化合物与所述循环氢气分离。

5.根据权利要求4所述的深度净化方法，其特征在于，所述分离在温度为-20℃～10℃的条件下进行。

6.根据权利要求4所述的深度净化方法，其特征在于，所述分离在压强为1×10⁶Pa～5×10⁶Pa的条件下进行。

7.根据权利要求4所述的深度净化方法，其特征在于，所述分离在温度为-20℃～10℃、压强为1×10⁶Pa～5×10⁶Pa的条件下进行。

8.根据权利要求4所述的深度净化方法，其特征在于，所述液化装置为精馏塔。

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