[发明专利]存储器系统及其操作方法有效

专利信息
申请号: 201611012625.5 申请日: 2016-11-17
公开(公告)号: CN107240418B 公开(公告)日: 2020-09-11
发明(设计)人: 徐玧成;丁元镇 申请(专利权)人: 爱思开海力士有限公司
主分类号: G11C16/26 分类号: G11C16/26;G06F3/06
代理公司: 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 代理人: 赵赫;崔龙铉
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 存储器 系统 及其 操作方法
【权利要求书】:

1.一种存储器系统,其包括:

存储器装置,其包括多个块,每个块包括多个页面,所述存储器装置适于响应于命令和地址执行操作;以及

控制器,其适于确定其中发生读取失败的块是否为包括未编程页面的开放块、当确定所述其中发生读取失败的块是所述开放块时基于操作温度信息和读取计数的至少一个对所述开放块的未编程页面执行恢复操作以及生成用于执行读取重试操作的命令,其中当确定其中发生读取失败的块是所述开放块并且所述开放块的读取计数大于或等于某一参考值时,所述控制器生成用于对所述未编程页面执行所述恢复操作的命令。

2.根据权利要求1所述的存储器系统,其中当写入所述开放块的编程页面的数据时的温度和读取所述数据时的温度之间的差大于或等于给定水平时,所述控制器生成用于对所述未编程页面执行所述恢复操作的命令。

3.根据权利要求1所述的存储器系统,其中在尽管响应于依次输入的写入命令执行编程操作,但当响应于用于最后编程的页面数据的读取命令执行读取操作时发生读取失败的情况下,

恢复操作通过将响应于所述写入命令连续地输入的数据编程在所述开放块的未编程页面上来被执行。

4.根据权利要求1所述的存储器系统,其中,在完成编程操作后,在响应于读取命令执行读取操作时发生所述读取失败的情况下,恢复操作通过将系统数据和所述编程操作后存储在页面缓冲器中的数据编程在所述开放块的未编程页面上来被执行。

5.根据权利要求1所述的存储器系统,其中,在接通电源后,在响应于读取命令对其中已经执行最后编程操作的块执行读取操作时发生所述读取失败的情况下,恢复操作通过将虚拟数据编程在所述开放块的未编程页面上来被执行。

6.根据权利要求1所述的存储器系统,其中所述存储器装置包括:

存储器单元阵列,其包括多个块;以及

外围电路,其适于响应于所述命令和所述地址控制所述存储器单元阵列的操作;

其中所述外围电路包括:

温度传感器,其适于测量在编程操作期间对编程数据时的温度和读取操作期间输出所述数据时的温度,并提供所述操作温度信息。

7.根据权利要求6所述的存储器系统,其中所述外围电路包括:

地址解码器,其通过字线联接至所述存储器单元阵列,且其适于对所述地址进行解码并选择所述字线中的一个;

读取/写入电路,其通过位线联接至所述存储器单元阵列,且其适于通过驱动所述位线从所述存储器单元阵列读取数据,或者根据待存储在所述存储器单元阵列中的数据驱动所述位线;

电压供应单元,其适于供应所述存储器装置的操作所需的电压;以及

控制逻辑,其适于响应于所述命令控制所述地址解码器、所述读取/写入电路和所述电压供应单元。

8.根据权利要求7所述的存储器系统,

其中,当输入用于恢复操作的命令时,所述控制逻辑对所述开放块的未编程页面执行额外的编程操作并控制所述开放块,使得所述开放块转变为封闭块;以及

其中,当输入用于执行所述读取重试操作的命令时,所述控制逻辑通过基于读取重试表改变施加到所述存储器单元阵列的读取电压电平并执行至少一个读取操作来执行所述读取重试操作。

9.根据权利要求6所述的存储器系统,其中所述存储器单元阵列包括:

主区域,其被配置为存储能够被用户访问的用户数据;以及

备用区域,其被配置为存储从所述温度传感器提供的操作温度信息、关于对应块是其中已经完成对所有页面的编程操作的封闭块还是其中仅已经完成对一些页面的编程操作的开放块的开放/封闭块信息以及包括所述读取计数的系统数据,

其中,当接通电源时,将存储在所述备用区域中的系统数据传输到所述控制器。

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