[发明专利]减小光学薄膜内应力的镀膜方法

说明书

本发明提供了一种减小光学薄膜内应力的镀膜方法，将SiO2或者ZrO的薄膜基片放入真空室内在275‑285℃的温度下烘烤90min，关闭烘烤，进行蒸镀。能消除薄膜内应力或者减少应力的产生，最终保证膜厚不受内应力的影响。

技术领域

本发明属于光学技术领域，涉及一种镀膜方法，具体涉及一种减小光学薄膜内应力的镀膜方法。

背景技术

目前，光学薄膜技术对于薄膜的物理特性都是通过光学镀膜工艺来控制的，包括抽真空、真空室加温烘烤、离子源轰击和镀膜等工艺过程，此种工艺对一般较薄物理厚度的常用氧化物薄膜厚度比较适用，但当薄膜厚度达到8000纳米以上，随着膜层层度的增加其内应力达到一定程度就会导致膜裂，之后导致脱膜现象。

随着激光技术、图像技术、红外技术等在高科技产品中的应用，对光学薄膜的性能要求、光学特性要求逐渐提高，并在同一光学系统中完成并实现光波、光信息要求，这样就导致光学薄膜厚度越来越厚，要求越来越高。如YAG1064多角度激光反射镜、多波长及激光反射系统、中红外薄膜的检测遥感技术等。因此，解决光学薄膜膜裂问题的方法也就显得较为迫切。

发明内容

针对上述技术问题，本发明提出了一种减小光学薄膜内应力的镀膜方法，能消除薄膜内应力或者减少应力的产生，最终保证膜厚不受内应力的影响。

为了实现上述发明目的，本发明采用如下技术方案：

减小光学薄膜内应力的镀膜方法，将SiO2或者ZrO的薄膜基片放入真空室内在275-285℃的温度下烘烤90min，关闭烘烤，进行蒸镀。

本发明方法用于薄膜厚度为8000纳米以上的光学薄膜。

本发明进一步的优选方案是：膜厚度每镀制到4000纳米厚时，暂停蒸镀15-30分钟。让膜层直接产生的应力得到释放，而不能一次性镀制完成，否则膜层物理厚度太厚，就会导致膜层开裂，致使膜裂及掉膜。

本发明针对SiO2和ZrO两种特定膜料，配合工艺在抽真空过程中设置烘烤温度由传统的220℃提高到275-285℃，使基片材料内部应力进行释放，消除基片对薄膜产生的应力，然后在开蒸镀的时候关闭烘烤，这样可以让薄膜形成过程尽可能不产生新的应力，使光学薄膜达到一定8000纳米以上的物理厚度后仍不产生膜裂，保证膜厚不受内应力的影响。

具体实施例

为了便于本领域技术人员理解，下面将结合实施例对本发明做进一步的描述。

实施例１

减小光学薄膜内应力的镀膜方法，将SiO2的薄膜基片放入真空室内在275℃的温度下烘烤90min，关闭烘烤，进行蒸镀。

实施例2

减小光学薄膜内应力的镀膜方法，将ZrO的薄膜基片放入真空室内在285℃的温度下烘烤90min，关闭烘烤，进行蒸镀。

所述光学薄膜的厚度为8000nm以上。

实施例3

减小光学薄膜内应力的镀膜方法，将SiO2的薄膜基片放入真空室内在280℃的温度下烘烤90min，关闭烘烤，进行蒸镀。

所述光学薄膜的厚度为8000nm以上。

膜厚度每镀制到4000纳米厚时，暂停蒸镀15分钟。

实施例4

减小光学薄膜内应力的镀膜方法，将ZrO的薄膜基片放入真空室内在276℃的温度下烘烤90min，关闭烘烤，进行蒸镀。