[发明专利]用于存储器的电源控制电路及方法

说明书

本发明实施例提供了一种用于存储器的电源控制电路，包括：控制端口，用于控制逻辑电路的输入信号；逻辑电路，用于根据所述输入信号输出高电平或低电平；所述控制端口，还用于：当所述逻辑电路的输出为高电平时启动地控制，当所述逻辑电路的输出为低电平时启动电源控制。可见，本发明实施例中的控制端口能够实现对逻辑电路内部信号的控制，在电源管理模式启动时，可以根据内部节点的状态对电路进行管理，从而在达到减小漏电的目的的同时，能够减小充放电的电容，从而减小系统在正常工作模式与电源管理模式之间的切换时间，并减小切换时的充放电电流。

技术领域

本发明涉及集成电路领域，更具体地涉及一种用于存储器的电源控制电路及方法。

背景技术

存储器(Memory)是现代信息技术中用于保存信息的记忆设备，具有非常广泛的应用。针对存储器的电源管理(power management)是相关的一项重要技术。

以静态随机存取存储器(Static Random Access Memory，SRAM)为例，SRAM的电源管理在外围电路的处理上一般分为三种：一种是在不工作时断开电源VDD与SRAM之间的通路，如图1(a)所示；一种是在不工作时断开电源VSS与SRAM之间的通路，如图1(b)所示；一种是上述两种的结合，即以上两种同时存在，如图1(c)所示，以减小SRAM不工作时的静态漏电。

然而，在SRAM的电源管理中，由于需要对电路进行充电和放电，所以在打开或者关闭电源管理的模式时，需要很长的时间，并且在此过程中会产生较大的充放电电流。

发明内容

考虑到上述问题而提出了本发明。本发明提供了一种用于存储器的电源控制电路，能够减小充放电的电容，从而减小工作模式与电源管理模式之间切换的时间，并减小充放电电流。

根据本发明的第一方面，提供了一种用于存储器的电源控制电路，包括：

控制端口，用于控制逻辑电路的输入信号；

所述逻辑电路，用于根据所述输入信号输出高电平或低电平；

所述控制端口，还用于：当所述逻辑电路的输出为高电平时启动地控制，当所述逻辑电路的输出为低电平时启动电源控制。

示例性地，所述控制端口，具体用于：在所述存储器的输入的基础上，控制所述逻辑电路的输入信号。

示例性地，所述存储器的输入包括以下至少一个：地址输入、数据输入、写使能输入和时钟输入。

示例性地，所述地控制用于断开电源VSS与所述存储器之间的通路，所述电源控制用于断开电源VDD与所述存储器之间的通路。

示例性地，所述逻辑电路包括互补的金属氧化物半导体CMOS逻辑电路。

示例性地，所述存储器为SRAM。

根据本发明的第二方面，提供了一种用于存储器的电源控制的方法，包括：

控制逻辑电路的输入信号，以使得所述逻辑电路根据所述输入信号输出高电平或低电平；

当所述逻辑电路的输出为高电平时启动地控制，当所述逻辑电路的输出为低电平时启动电源控制。

示例性地，所述控制逻辑电路的输入信号，包括：在所述存储器的输入的基础上，控制所述逻辑电路的输入信号。

第二方面所述的该方法能够由前述第一方面所述的电源控制电路所实现。

可见，本发明实施例中的控制端口能够实现对逻辑电路内部信号的控制，在电源管理模式启动时，可以根据内部节点的状态对电路进行管理，从而在达到减小漏电的目的的同时，能够减小充放电的电容，从而减小系统在正常工作模式与电源管理模式之间的切换时间，并减小切换时的充放电电流。

附图说明