[发明专利]用于存储器的电源控制电路及方法有效
| 申请号： | 201611009679.6 | 申请日： | 2016-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN108074607B | 公开（公告）日： | 2020-12-15 |
| 发明（设计）人： | 陈双文 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/417 | 分类号： | G11C11/417;G11C5/14 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 存储器 电源 控制电路 方法 | ||
1.一种用于存储器的电源控制电路，其特征在于，包括：
控制端口，用于控制逻辑电路的输入信号；
所述逻辑电路，用于根据所述输入信号输出高电平或低电平；
所述控制端口，还用于：在工作模式与电源管理模式之间切换时，若所述逻辑电路的输出为高电平时启动地控制，若所述逻辑电路的输出为低电平时启动电源控制，其中所述地控制用于断开电源VSS与所述存储器之间的通路，所述电源控制用于断开电源VDD与所述存储器之间的通路。
2.如权利要求1所述的电源控制电路，其特征在于，所述控制端口，具体用于：
在所述存储器的输入的基础上，控制所述逻辑电路的输入信号。
3.如权利要求2所述的电源控制电路，其特征在于，所述存储器的输入包括以下至少一个：
地址输入、数据输入、写使能输入和时钟输入。
4.如权利要求1所述的电源控制电路，其特征在于，所述逻辑电路包括互补的金属氧化物半导体CMOS逻辑电路。
5.如权利要求1至4任一项所述的电源控制电路，其特征在于，所述存储器为静态随机存取存储器SRAM。
6.一种用于存储器的电源控制的方法，其特征在于，包括：
控制逻辑电路的输入信号，以使得所述逻辑电路根据所述输入信号输出高电平或低电平；
在工作模式与电源管理模式之间切换时，若所述逻辑电路的输出为高电平时启动地控制，若所述逻辑电路的输出为低电平时启动电源控制，其中所述地控制用于断开电源VSS与所述存储器之间的通路，所述电源控制用于断开电源VDD与所述存储器之间的通路。
7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述控制逻辑电路的输入信号，包括：
在所述存储器的输入的基础上，控制所述逻辑电路的输入信号。
8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述存储器的输入包括以下至少一个：
地址输入、数据输入、写使能输入和时钟输入。
9.如权利要求6至8任一项所述的方法，其特征在于，所述逻辑电路包括互补的金属氧化物半导体CMOS逻辑电路。
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