[发明专利]一种线路板孔金属化的方法

权利要求书

1.一种线路板孔金属化的方法，其特征在于，包括以下具体步骤：

S1.激光定位钻孔，并调节激光照射处理，使孔壁形成通孔 ；

S2. 在需要金属化的孔壁上覆盖导电高分子膜，并将活化粒子渗透入导电高分子膜表面，形成活化层 ；

S3. 进行微蚀处理后再将活化粒子钝化，金属通过磁控溅射的方式在通孔表面形成镀层。

2. 根据权利要求1所述的线路板孔金属化的方法，其特征在于，所述激光定位钻孔的条件是：使用激光钻孔的同时，调节激光照射，激光的脉冲能量控制在 108mJ，聚焦高度控制在 52mm，激光频率控制 在 30kHz，激光脉冲宽度控制在 5um，光束直径控制在 12mm。

3.根据权利要求1所述的线路板孔金属化的方法，其特征在于，所述活化层的厚度为10-15um。

4. 根据权利要求1所述的线路板孔金属化的方法，其特征在于，所述导电高分子膜由以下重量计原料组成：聚乙烯基吡咯烷酮 37.4、二甲基丙烯酸二缩乙二醇酯 2.7、聚丙烯酸酯 3.1、丙烯酸二甲胺基乙酯 1.8、椰子油脂肪酸二乙醇酰胺 5.2、ZnO 7.6，BeO 12.4、BeO 2.9，Al₂O₃ 4.2、磷酸三丁酯 5.4、二乙二醇二醋酸酯 3.5、肉豆蔻酰两性基乙酸钠 2.9、月桂酰胺丙基甜菜碱 3.2、5-氨基酮戊酸 2.3、间-四羟基苯基二氢卟酚 1.7。

5. 根据权利要求1所述的线路板孔金属化的方法，其特征在于，所述磁控溅射的工艺条件为：使用靶材为纯度99 .99wt％以上的金属溅射靶，真空室的本底真空度为8×10^-2Pa，Ar的流量为18sccm，He的流量为18sccm， N₂的流量为18sccm，工作气压为8Pa，溅射靶的溅射功率为400W，沉积温度为50℃，沉积时间为50s，厚度为 200um；所述磁控溅射采用的金属为钨,钼,钽,铪,铌中的任一种。