[发明专利]一种GO-Nafion双层膜修饰的pH、含水量复合传感器及其制备方法

权利要求书

1.一种GO-Nafion双层膜修饰的pH、含水量复合传感器，其特征在于，包括基底(1)、工作电极(2)、参比电极(3)、电极引线1(4)和电极引线2(5)；

所述基底(1)的正面开有两个长方形槽包括第一长方形槽(101)和第二长方形槽(104)，所述长方形槽右侧分别开有长槽(102)，所述第二长方形槽(104)下侧开有两个直角槽(103)；

所述第一长方形槽(101)上制作工作电极(2)，所述第二长方形槽(104)上制作参比电极(3)，在所述长槽(102)上附电极引线1(4)，在直角槽(103)上附电极引线2(5)；

在所述电极引线1(4)和电极引线2(5)的末端上制作焊盘(6)；

所述工作电极(2)，通过Cr_1连接层(201)与Ni_1过渡层(202)与基底(1)连接，且所述Cr_1连接层(201)位于Ni_1过渡层(202)的下面；

所述Ni_1过渡层(202)上方依次沉积有Ir层(203)和IrO₂层(204)，IrO₂层(204)表面依次涂覆Nafion_1层(205)和GO_1层(206)；

所述参比电极(3)，通过Cr_2连接层(301)和Ni_2过渡层(302)与基底(1)连接，且所述Cr_2连接层(301)位于Ni_2过渡层(302)的下面；

所述Ni_2过渡层(302)上方依次沉积有Ag层(303)和AgCl层(304)，AgCl层(304)表面依次涂覆Nafion_2层(305)和GO_2层(306)。

2.根据权利要求1所述的一种GO-Nafion双层膜修饰的pH、含水量复合传感器，其特征在于，所述基底(1)为厚度1.2mm以上的氧化铝陶瓷材料，基底(1)形状为长1.5cm、宽1cm的长方形，所述第一长方形槽(101)、第二长方形槽(104)、长槽(102)及直角槽(103)开槽深度约2.1μm。

3.根据权利要求1所述的一种GO-Nafion双层膜修饰的pH、含水量复合传感器，其特征在于，所述Cr_1连接层(201)厚度为50nm，Ni_1过渡层(202)厚度为60nm；所述Ir层(203)厚度为90nm，IrO₂层(204)厚度为120nm；所述Nafion_1层(205)厚度为0.8μm，GO_1层(206)厚度为0.6μm。

4.根据权利要求1所述的一种GO-Nafion双层膜修饰的pH、含水量复合传感器，其特征在于，所述Cr_2连接层(301)厚度为50nm，Ni_2过渡层(302)厚度为60nm；所述Ag层(303)厚度为180nm，AgCl层(304)厚度为33nm；所述Nafion_2层(305)厚度为0.8μm，GO_2层(306)厚度为0.6μm。

5.根据权利要求1所述的一种GO-Nafion双层膜修饰的pH、含水量复合传感器，其特征在于，所述GO_1层(206)和GO_2层(306)表面进行微纳织构加工出圆柱凹坑，所述圆柱凹坑的孔深为60nm，孔径为1.8μm。

6.根据权利要求1所述的一种GO-Nafion双层膜修饰的pH、含水量复合传感器，其特征在于，所述第一长方形槽(101)右侧长槽(102)内的电极引线1(4)通过Cr_1连接层(201)和Ni_1过渡层(202)与基底(1)连接，且所述Cr_1连接层(201)位于Ni_1过渡层(202)的下面；Ni_1过渡层(202)上方依次沉积有Ag层(401)和硅氧树脂层(402)，所述Ag层(401)厚度为90nm，硅氧树脂层(402)厚度为1.5μm；

所述第二长方形槽(104)右侧长槽(102)内的电极引线1(4)通过Cr_2连接层(301)和Ni_2过渡层(302)与基底(1)连接，且所述Cr_2连接层(301)位于Ni_2过渡层(302)的下面；Ni_2过渡层(302)上方依次沉积有Ag层(401)和硅氧树脂层(402)，所述Ag层(401)厚度为90nm，硅氧树脂层(402)厚度为1.5μm。