[发明专利]一种光刻掩膜版和光刻掩膜版缺陷的修复方法

说明书

本发明提供一种光刻掩膜版和光刻掩膜版缺陷的修复方法，涉及半导体技术领域。所述修复方法包括：提供光刻掩膜版，所述光刻掩膜版包括透明基底以及形成在所述透明基底表面上的遮光图案，其中，在所述遮光图案外部的透明基底上形成有缺陷孔；在所述缺陷孔中形成透明材料。通过本发明的修复方法，在光刻掩膜版的透明基底上的缺陷孔中形成透明材料，以减小照射到缺陷孔中的入射光和照射到缺陷孔外侧的透明基底表面上的入射光之间的光程差，进而避免由于缺陷孔在晶圆上成像问题的出现，改善光刻掩膜版的质量，提高利用该光刻掩膜版成像的准确性和精度，进而提高半导体器件制备工艺的良率和形成器件的性能。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，具体而言涉及一种光刻掩膜版和光刻掩膜版缺陷的修复方法。

背景技术

半导体集成电路(Integrated Circuit，简称IC)也即半导体芯片在制造过程中需经历材料制备、制版、光刻、清洗、刻蚀、渗杂、化学机械抛光等多道工序，其中尤以光刻工艺最为关键。光刻工艺决定着半导体芯片制造工艺的先进程度，正是由于光刻技术的巨大进步才将集成电路制造工艺从微米时期带入深亚微米时代，进而迈入纳米时代。光刻工艺需要一整套(几块或多至十几块)相互间能精确套准、具有特定几何图形的光蚀刻掩蔽模版，简称光刻掩膜版(Mask)、掩膜版或光罩。光刻掩膜版实际上是光刻工艺中光致抗蚀剂(俗称光刻胶，也称光阻)层的“印相底片”，其上印制了原始集成电路设计版图的几何图形。也就是说，从原始集成电路设计版图到晶圆片上电路图形的形成，中间需要经过制版环节，也即需要制作一套其上印制着原始集成电路设计版图图案的光刻掩膜版作为“印相底片”。光刻工艺就是将该“印相底片”上的几何图形转印到晶圆片上，形成晶圆片上的电路图形。

在芯片制造过程中往往需要十几乃至几十道的光刻工序，每道光刻工序都需要用到一块光刻掩膜版，每块光刻掩膜版品质高低都直接影响到晶圆片上光刻图形的质量优劣，进而影响芯片的成品率。因此，光刻掩膜版上的掩膜图形必须完整无缺才能呈现原始集成电路设计版图的完整图案。一旦把不完整的掩膜图形转印到晶圆片上，就会造成晶圆片制成品的质量不合格。

因此，需在完成光刻掩膜版制作后对掩膜版上所有的缺陷通过修复方法和清洗进行修复，掩膜图形缺陷的修复是制造高品质掩膜版的关键步骤，然而，有时对于光刻掩膜版的过修复可能引起掩膜版基底例如石英基底损伤问题的出现。这是因为透明石英材料在通过蚀刻的方法修复掩膜图形缺陷时，石英也会被蚀刻而形成一些缺陷孔，如果孔的深度严重到一定程度，由于光程差(optical path difference)通过微光刻(microlithography)将会成像到晶圆上，可通过aims工具模拟该光程差作为新的缺陷。

因此，缺陷孔形成在透明石英表面，目前还没有很好的方法能够解决或者减轻该些缺陷。一般来说，应避免在掩模修复期间造成石英损伤。如果发现石英损伤，应通过aims工具测量该点，以检查其是否符合规格。具有超出规格的石英损伤的掩膜版将被报废，这导致掩膜版失效率在0.5％左右。

因此，有必要提出一种新的光刻掩膜版缺陷的修复方法，以解决上述技术问题。

发明内容

在发明内容部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本发明的发明内容部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。

针对现有技术的不足，本发明实施例一中提供一种光刻掩膜版缺陷的修复方法，所述方法包括：

提供光刻掩膜版，所述光刻掩膜版包括透明基底以及形成在所述透明基底表面上的遮光图案，其中，在所述遮光图案外部的透明基底上形成有缺陷孔；

在所述缺陷孔中形成透明材料。

进一步，形成所述光刻掩膜版的方法包括以下步骤：

提供透明基底，在所述透明基底上形成遮光层；