[发明专利]一种光刻掩膜版和光刻掩膜版缺陷的修复方法在审
申请号: | 201610979266.4 | 申请日: | 2016-11-08 |
公开(公告)号: | CN108073035A | 公开(公告)日: | 2018-05-25 |
发明(设计)人: | 施维 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
主分类号: | G03F1/72 | 分类号: | G03F1/72 |
代理公司: | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人: | 董巍;高伟 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光刻掩膜版 基底 修复 透明基底表面 透明材料 遮光图案 入射光 透明 照射 半导体技术领域 半导体器件制备 成像问题 光程差 成像 减小 晶圆 良率 外部 | ||
1.一种光刻掩膜版缺陷的修复方法,其特征在于,所述方法包括:
提供光刻掩膜版,所述光刻掩膜版包括透明基底以及形成在所述透明基底表面上的遮光图案,其中,在所述遮光图案外部的透明基底上形成有缺陷孔;
在所述缺陷孔中形成透明材料。
2.如权利要求1所述的修复方法,其特征在于,形成所述光刻掩膜版的方法包括以下步骤:
提供透明基底,在所述透明基底上形成遮光层;
在所述遮光层上形成图案化的光刻胶层;
以所述图案化的光刻胶层为掩膜,蚀刻所述遮光层以形成所述遮光图案,从而制备获得所述光刻掩膜版。
3.如权利要求2所述的修复方法,其特征在于,在蚀刻所述遮光层以形成所述遮光图案的步骤之后,还包括以下步骤:
对所述光刻掩膜版进行缺陷检测;
对检测出缺陷的光刻掩膜版进行修复,其中,所述修复的方法为对所述缺陷进行蚀刻修复。
4.如权利要求3所述的修复方法,其特征在于,在所述蚀刻修复过程中对所述遮光图案外侧的透明基底造成过蚀刻损伤而形成所述缺陷孔。
5.如权利要求1所述的修复方法,其特征在于,所述透明材料包括TEOS层。
6.如权利要求1所述的修复方法,其特征在于,所述透明基底的材料为石英。
7.如权利要求1所述的修复方法,其特征在于,所述遮光图案的材料包括Cr。
8.如权利要求1所述的修复方法,其特征在于,在蚀刻所述遮光层以形成所述遮光图案的步骤之后,还包括对所述光刻掩膜版进行清洗的步骤。
9.如权利要求5所述的修复方法,其特征在于,形成所述TEOS层的方法包括以TEOS为源气体,使用化学气相沉积法沉积形成所述TEOS层。
10.一种使用权利要求1至9之一所述的修复方法制备获得的光刻掩膜版,包括:
透明基底;以及形成在所述透明基底表面上的遮光图案,其中,在所述遮光图案外部的透明基底上形成有缺陷孔;
在所述缺陷孔中形成有透明材料。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司,未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
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G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
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