[发明专利]柔性OLED基材及其制备方法

说明书

本发明公开了一种柔性OLED基材，其包括：相对设置的柔性透明基底和透明导电层；设置于所述柔性透明基底和所述透明导电层之间的水氧阻隔层；以及设置于所述透明导电层背对于所述水氧阻隔层一侧的电极修饰层；其中，所述透明导电层的方阻低于10Ω/□，透光率大于85％，水氧渗透速率低于10～6g/m2/d。本发明通过设置具有较高的水氧阻隔性能的水氧阻隔层，同时通过设置高导电、高光透过率和低表面粗糙度的透明导电层，有效改善器件内部电场均匀性，并降低内阻能耗，优化了器件性能。此外，本发明还引入导电聚合物作为电极修饰层，进一步改善了透明导电层表面的平整度。本发明能够用于柔性OLED显示及照明器件，具有内耗低，发光均匀性好，耐绕折性强，寿命长的优点。

技术领域

本发明属于柔性OLED基材技术领域，具体地讲，涉及一种柔性OLED基材及其制备方法。

背景技术

用于OLED显示及照明的透明导电层，其中ITO(Indium Tin Oxides，氧化铟锡)玻璃最为经典。ITO玻璃方阻通常在10至100Ω/□左右，可见光透过率约90％，表面粗糙度经2次抛光可达亚纳米以内，在OLED产品上广为使用。

但随着OLED技术朝着柔性化、轻薄化、大尺寸方向发展，ITO玻璃作为刚性衬底显然需用柔性透明导电衬底取代，而柔性ITO透明导电层也不能满足柔性光电器件产业应用的技术需求。一方面，ITO退火最佳温度在360℃左右，因柔性衬底不能承受高温，柔性ITO退火温度仅为140℃左右，导致其方阻高达100Ω/□以上；另一方面，ITO为刚性膜，脆而易碎，弯曲时易出现裂纹，使方阻进一步增大，在用于大面积器件时器件寿命短，且因内阻大导致效率低能耗高。因此，发展取代ITO并能满足器件需求的柔性透明导电层技术有重要意义。

现有金属网格的透明导电层在用于厚度只有百十纳米的OLED器件时，容易出现电场不均，器件短路击穿的问题，无法满足OLED对导电膜平整度的要求。并且，现有的透明导电层的功函数一般低于4.5eV，对OLED器件的电荷注入也非常不利。此外，OLED对空气环境中的水氧极其敏感，要求基材的水氧渗透速率低于10～6g/m2/d，而现有柔性透明导电层基材的水氧透过率均在0.1g/m2/d以上。

可见，还需要一种适用于OLED器件的柔性OLED基材。

发明内容

为了解决上述现有技术中存在的问题，本发明的目的在于提供一种具有高导电、高透明、高柔性、高水氧阻隔效果、高表面平整度、高电极表面功函的柔性OLED基材及其制备方法。

本发明提供了一种柔性OLED基材，其包括：相对设置的柔性透明基底和透明导电层；设置于所述柔性透明基底和所述透明导电层之间的水氧阻隔层；以及设置于所述透明导电层背对于所述水氧阻隔层一侧的电极修饰层；其中，所述透明导电层的方阻低于10Ω/□，透光率大于85％，水氧渗透速率低于10～6g/m2/d。

进一步地，所述透明导电层包括形成在所述水氧阻隔层上的透明胶质层，所述透明胶质层上设有图形化的凹槽，所述透明导电层还包括设置于所述凹槽中的图形化的导电网格层。

进一步地，所述透明胶质层的上表面与所述导电网格层的上表面齐平，且所述透明胶质层与所述导电网格层的表面粗糙度不大于20nm。

进一步地，所述透明胶质层的凹槽的宽度为1μm～5μm，所述凹槽深宽比的范围为3:2～1:2，所述导电网格层的厚度与宽度比的范围为1:1～1:2。

进一步地，所述导电网格层的材料为金属纳米油墨，所述金属纳米油墨包括铜、银纳米片或纳米颗粒及其混合物；其中，所述银纳米片材的尺寸不超过400nm，所述纳米颗粒尺寸不超过150nm。