[发明专利]反应腔室的压力控制系统及压力控制方法有效
申请号: | 201610962237.7 | 申请日: | 2016-10-28 |
公开(公告)号: | CN107068587B | 公开(公告)日: | 2019-10-25 |
发明(设计)人: | 董金卫 | 申请(专利权)人: | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人: | 陶金龙;张磊 |
地址: | 100176 北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 反应腔室 大气连通 流量计 阀门 进气管路 排气管路 压力控制 微环境 腔室 压力控制系统 测量计 压力差 尾气排放管路 压力控制阀 大气压力 连接管路 气体流量 启闭 压差 | ||
1.一种反应腔室的压力控制系统,包括:反应腔室、微环境腔室、反应腔室与微环境腔室之间的密封门,晶圆承载装置、在反应腔室和微环境腔室之间输送晶圆承载装置的传送装置,传送装置位于微环境腔室内,其特征在于,还包括:
与反应腔室相连通的第一进气管路,在第一进气管路上设置有第一流量计和第一阀门;
与反应腔室相连通的第一排气管路,在第一排气管路上设置的压力控制阀,以及与通过压力控制阀与第一排气管路连通的尾气排放管路和第一大气连通管路;第一大气连通管路上设置有第二阀门;
与微环境腔室相连通的第二进气管路和第二排气管路,在第二进气管路上设置有第二流量计;第二排气管路上设置有第三阀门;
与微环境腔室相连通的第二大气连通管路,在第二大气连通管路上设置有检测微环境腔室压力与大气压力的差值的压力差测量计;
将第一大气连通管路和第二大气连通管路相连通的连接管路,连接管路的一端与第一大气连通管路相连接,另一端连接于微环境腔室和压力差测量计之间;连接管路上设置有第四阀门;
当晶圆承载装置位于反应腔室内进行工艺时,第四阀门关闭,第二阀门打开,通过压力差测量计来控制微环境腔室与大气压力的压差;并且,第一阀门打开,通过第一流量计控制第一进气管路的气体进入反应腔室的气体流量;并且调节压力控制阀的开度来控制反应腔室的排气量;
当传送装置传送晶圆承载装置进入反应腔室或退出反应腔室时,第一阀门关闭,然后经第二进气管路向微环境腔室通入高纯惰性气体,打开第三阀门,通过第二流量计控制进入微环境腔室的高纯惰性气体流量;第二阀门关闭,同时第四阀门开启,通过压力差测量计来控制微环境腔室与大气压力的压差;并且,通过控制压力控制阀的开度使尾气排放管路和第一排气管路连通而向外排出气体,从而实现反应腔室压力高于微环境腔室的压力的控制方式。
2.根据权利要求1所述的反应腔室的压力控制系统,其特征在于,当晶圆承载装置位于反应腔室内进行工艺时,通过第二流量计来减小第二进气管路进入微环境腔室的气体流量。
3.根据权利要求1所述的反应腔室的压力控制系统,其特征在于,当晶圆承载装置位于反应腔室内进行工艺时,通过第二流量计来关闭第二进气管路进入微环境腔室的气体流量。
4.根据权利要求1所述的反应腔室的压力控制系统,其特征在于,所述反应腔室外设置有加热器。
5.根据权利要求1所述的反应腔室的压力控制系统,其特征在于,所述反应腔室底部设置有保温桶。
6.一种根据权利要求1所述的系统对反应腔室进行压力控制的方法,其特征在于,包括:当晶圆承载装置位于反应腔室内进行工艺时的压力控制过程和当传送装置传送晶圆承载装置进入反应腔室或退出反应腔室时的压力控制过程;其中,
当晶圆承载装置位于反应腔室内进行工艺的压力控制过程包括:
第四阀门关闭,第二阀门打开,通过压力差测量计来控制微环境腔室与大气压力的压差;
第一阀门打开,通过第一流量计控制第一进气管路的气体进入反应腔室的气体流量;并且调节压力控制阀的开度来控制反应腔室的排气量;
当传送装置传送晶圆承载装置进入反应腔室或退出反应腔室时的压力控制过程包括:
关闭第一阀门;
然后经第二进气管路向微环境腔室通入高纯惰性气体,打开第三阀门,通过第二流量计控制进入微环境腔室的高纯惰性气体流量;
关闭第二阀门,同时第四阀门开启,通过压力差测量计来控制微环境腔室与大气压力的压差;并且,通过控制压力控制阀的开度使尾气排放管路和第一排气管路连通而向外排出气体,从而实现反应腔室压力高于微环境腔室的压力的控制方式。
7.根据权利要求6所述的方法,其特征在于,当晶圆承载装置位于反应腔室内进行工艺时,通过第二流量计来减小第二进气管路进入微环境腔室的气体流量。
8.根据权利要求6所述的方法,其特征在于,当晶圆承载装置位于反应腔室内进行工艺时,通过第二流量计来关闭第二进气管路进入微环境腔室的气体流量。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造