[发明专利]封装方法及相关的封装结构

权利要求书

1.一种封装方法，其包含：

提供第一半导体衬底；

在所述第一半导体衬底上形成接合区，其中所述第一半导体衬底的所述接合区包括第一接合金属层以及第二接合金属层；

提供半导体衬底，其具有接合区，其中所述第二半导体衬底的所述接合区包括第三接合金属层；以及

通过使所述第一半导体衬底的所述接合区接触所述第二半导体衬底的所述接合区，将所述第一半导体衬底接合到所述第二半导体衬底；

其中所述第一与第三接合金属层包括铜(Cu)，且所述第二接合金属层包括锡(Sn)。

2.根据权利要求1所述的方法，其包含：

提供接合温度，其范围是从约240摄氏度到约300摄氏度。

3.根据权利要求1所述的方法，进一步包含：

施加按压力，其为每单位面积约1MPa到约2MPa或以下，以使所述第一与第二半导体衬底向彼此按压。

4.根据权利要求1所述的方法，进一步包含：

使包括于所述第二接合金属层中的所述Sn与包括于所述第一及第三接合金属层中的所述Cu反应，以形成Cu₃Sn，直到所述Sn实质完全消耗。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一半导体衬底包括微机电系统MEMS装置。

6.根据权利要求1所述的方法，其进一步包含：

移除所述第一半导体衬底的部分。

7.一种封装方法，其包含：

提供第一半导体衬底；

在所述第一半导体衬底上形成接合区，其中所述第一半导体衬底的所述接合区包括第一接合金属层；

提供第二半导体衬底，其具有接合区，其中所述第二半导体衬底的所述接合区包括第二接合金属层；

通过使用辅助接合金属，接合所述第一半导体衬底的所述接合区与所述第二半导体衬底的所述接合区；以及

施加按压力，其为每单位面积约1MPa到约2MPa或以下，以使所述第一与第二半导体衬底向彼此按压。

8.根据权利要求7所述的方法，其中所述第一与第二接合金属层包括铜(Cu)。

9.根据权利要求7所述的方法，其中所述辅助接合材料包括锡(Sn)。

10.一种封装结构，其包含：

第一半导体衬底，其上具有第一接合区；以及

第二半导体衬底，其上具有第二接合区；

其中所述第一接合区为接合所述第二接合区，且所述第一与第二接合区之间的接合界面包括Cu₃Sn。