[发明专利]一种低噪声放大器及其控制方法

说明书

本发明提供了一种低噪声放大器及其控制方法，其特征在于，所述低噪声放大器包括第一NMOS晶体管单元、第二NMOS晶体管单元、PMOS晶体管单元和输出级电路；第一NMOS晶体管单元的栅极连接低噪声放大器的输入端，源极连接电流源后接地，漏极分别与第二NMOS晶体管单元的栅极和输出级电路连接；第二NMOS晶体管的源极与输入端连接，漏极与输出级电路连接；PMOS晶体管单元的栅极与输入端连接，源极连接于输出级电路与第二NMOS晶体管单元的漏极之间，漏极连接于第一NMOS晶体管单元的漏极与第二NMOS晶体管单元的栅极之间。与现有技术相比，本发明提供的一种低噪声放大器及其控制方法，可以分别对低噪声放大器的噪声系数、带宽、增益和输入阻抗匹配进行独立优化调节。

技术领域

本发明涉及微功率无线通信技术领域，具体涉及一种低噪声放大器及其控制方法。

背景技术

低噪声放大器是一种噪声系数很低的放大器，一般用作各类无线电接收机的高频或中频前置放大器，以及高灵敏度电子探测设备的放大电路。低噪声放大器主要用于在保持低噪声的条件下，放大天线从空中接收到的微弱信号并传输到后级，由于处于射频接收的最前端，低噪声放大器对于整个接收机性能有重要影响。低噪声放大器的主要性能设计要求包括输入阻抗匹配、噪声系数低、足够的增益，以及合适的功耗和线性度。

目前，宽带低噪声放大器主要包括图1-3分别所示的共源型低噪声放大器、共栅型低噪声放大器和电阻反馈型低噪声放大器，但是对上述低噪声放大器的性能优化时在满足输入阻抗匹配后不能同时优化噪声系数、增益和线性度，即不能实现输入阻抗匹配、噪声系数、增益和线性度的独立优化。

发明内容

本发明提供了一种低噪声放大器及其控制方法，可以分别对低噪声放大器的噪声系数、带宽、增益和输入阻抗匹配进行独立优化调节。

第一方面，本发明中一种低噪声放大器的技术方案是：

所述低噪声放大器包括第一NMOS晶体管单元、第二NMOS晶体管单元、PMOS晶体管单元和输出级电路；

所述第一NMOS晶体管单元的栅极连接所述低噪声放大器的输入端，源极连接电流源后接地，漏极分别与所述第二NMOS晶体管单元的栅极和所述输出级电路连接；

所述第二NMOS晶体管的源极与所述输入端连接，漏极与所述输出级电路连接；

所述PMOS晶体管单元的栅极与所述输入端连接，源极连接于所述输出级电路与第二NMOS晶体管单元的漏极之间，漏极连接于所述第一NMOS晶体管单元的漏极与第二NMOS晶体管单元的栅极之间。

进一步地，本发明提供的一个优选技术方案为：

所述第一NMOS晶体管单元包括第一NMOS晶体管和第二NMOS晶体管；

所述第二NMOS晶体管单元包括第三NMOS晶体管和第四NMOS晶体管；

所述PMOS晶体管单元包括第一PMOS晶体管和第二PMOS晶体管；

所述输入端包括正极输入端和负极输入端。

进一步地，本发明提供的一个优选技术方案为：

所述第一NMOS晶体管的栅极与所述正极输入端连接，源极接地，漏极分别与所述第三NMOS晶体管的栅极和所述输出级电路连接；

所述第三NMOS晶体管的源极与所述正极输入端连接，漏极与所述输出级电路连接；

所述第一PMOS晶体管的栅极与所述正极输入端连接，源极连接于所述输出级电路与第三NMOS晶体管的漏极之间，漏极连接于所述第一NMOS晶体管的漏极与第三NMOS晶体管的漏极栅极之间。

进一步地，本发明提供的一个优选技术方案为：