[发明专利]一种低噪声放大器及其控制方法

权利要求书

1.一种低噪声放大器，其特征在于，所述低噪声放大器包括第一NMOS晶体管单元、第二NMOS晶体管单元、PMOS晶体管单元和输出级电路；

所述第一NMOS晶体管单元的栅极连接所述低噪声放大器的输入端，源极连接电流源后接地，漏极分别与所述第二NMOS晶体管单元的栅极和所述输出级电路连接；

所述第二NMOS晶体管的源极与所述输入端连接，漏极与所述输出级电路连接；

所述PMOS晶体管单元的栅极与所述输入端连接，源极连接于所述输出级电路与第二NMOS晶体管单元的漏极之间，漏极连接于所述第一NMOS晶体管单元的漏极与第二NMOS晶体管单元的栅极之间；

所述第一NMOS晶体管单元包括第一NMOS晶体管和第二NMOS晶体管；

所述第二NMOS晶体管单元包括第三NMOS晶体管和第四NMOS晶体管；

所述PMOS晶体管单元包括第一PMOS晶体管和第二PMOS晶体管；

所述输入端包括正极输入端和负极输入端；

所述输出级电路包括第三NMOS晶体管单元、负载阻抗单元和输出端子；

所述第三NMOS晶体管单元的栅极和源极分别与所述第一NMOS晶体管单元连接，漏极与所述负载阻抗单元连接；

所述负载阻抗单元的另一端与所述第二NMOS晶体管单元连接；

所述输出端子连接于所述第三NMOS晶体管单元的漏极与所述负载阻抗单元之间。

2.如权利要求1所述的一种低噪声放大器，其特征在于，

所述第一NMOS晶体管的栅极与所述正极输入端连接，源极接地，漏极分别与所述第三NMOS晶体管的栅极和所述输出级电路连接；

所述第三NMOS晶体管的源极与所述正极输入端连接，漏极与所述输出级电路连接；

所述第一PMOS晶体管的栅极与所述正极输入端连接，源极连接于所述输出级电路与第三NMOS晶体管的漏极之间，漏极连接于所述第一NMOS晶体管的漏极与第三NMOS晶体管的漏极栅极之间。

3.如权利要求1所述的一种低噪声放大器，其特征在于，

所述第二NMOS晶体管的栅极与所述负极输入端连接，源极接地，漏极分别与所述第四NMOS晶体管的栅极和所述输出级电路连接；

所述第四NMOS晶体管的源极与所述负极输入端连接，漏极与所述输出级电路连接；

所述第二PMOS晶体管的栅极与所述负极输入端连接，源极连接于所述输出级电路与第四NMOS晶体管的漏极之间，漏极连接于所述第二NMOS晶体管的漏极与第四NMOS晶体管的漏极栅极之间。

4.如权利要求1所述的一种低噪声放大器，其特征在于，

所述第三NMOS晶体管单元包括第五NMOS晶体管和第六NMOS晶体管；

所述负载阻抗单元包括第一负载阻抗和第二负载阻抗；

所述输出端子包括正极输出端子和负极输出端子。

5.如权利要求4所述的一种低噪声放大器，其特征在于，

所述第五NMOS晶体管的源极与所述第一NMOS晶体管单元内第一NMOS晶体管的漏极连接，栅极与所述第一NMOS晶体管单元内第二NMOS晶体管的漏极连接，漏极与所述第一负载阻抗连接；所述第一负载阻抗的另一端与所述第二NMOS晶体管单元内第三NMOS晶体管的漏极连接；

所述第六NMOS晶体管的源极与所述第一NMOS晶体管单元内第二NMOS晶体管的漏极连接，栅极与所述第一NMOS晶体管单元内第一NMOS晶体管的漏极连接，漏极与所述第二负载阻抗连接；所述第二负载阻抗的另一端与所述第二NMOS晶体管单元内第四NMOS晶体管的漏极连接；

所述负极输出端子连接于所述第五NMOS晶体管的漏极与第一负载阻抗之间；

所述正极输出端子连接于所述第六NMOS晶体管的漏极与第二负载阻抗之间。

6.如权利要求1所述的一种低噪声放大器，其特征在于，

所述低噪声放大器的输出信号带宽为470MHz~510MHz。

7.一种如权利要求4或5任一项所述的低噪声放大器的控制方法，其特征在于，所述控制方法包括：

改变所述第三NMOS晶体管和第四NMOS晶体管的跨导，调节所述低噪声放大器的输出信号的带宽；

改变所述第一PMOS晶体管和第二PMOS晶体管的跨导对所述低噪声放大器进行输入阻抗匹配调节；

改变所述第一负载阻抗和第二负载阻抗的阻抗值，调节所述输出信号的增益；

改变所述第一NMOS晶体管和第二NMOS晶体管的跨导，和/或改变所述第一负载阻抗和第二负载阻抗的阻抗值，调节所述输出信号的噪声系数。