[发明专利]一种软磁薄膜及其制备方法

权利要求书

1.一种软磁薄膜，包括堆叠设置的多组层结构，其中，每组所述层结构包括软磁材料层及位于所述软磁材料层上方的介质层，其特征在于，每组所述层结构还包括第一粘结层和/或第二粘结层，所述第一粘结层和所述第二粘结层用于增强所述层结构的粘附性；其中，

所述第一粘结层位于该组层结构内的所述软磁材料层和介质层之间，和/或，

所述第二粘结层位于该组层结构内的所述介质层之上，以使该组层结构的所述第二粘结层位于与该组层结构上方相邻的另一组层结构的所述软磁材料层的下方；并且，

所述第一粘结层和所述第二粘结层的热膨胀系数小于所述软磁材料层的热膨胀系数，且大于所述介质层的热膨胀系数。

2.如权利要求1所述的软磁薄膜，其特征在于，所述软磁材料层为镍铁合金层或镍层。

3.如权利要求2所述的软磁薄膜，其特征在于，所述镍铁合金层用以质量百分比计的80％镍和20％铁组成的镍铁合金溅射制成。

4.如权利要求1所述的软磁薄膜，其特征在于，所述第一粘结层和/或所述第二粘结层为固体单质，所述介质层为所述固体单质的氧化物或氮化物。

5.如权利要求4所述的软磁薄膜，其特征在于，所述第一粘结层和/或所述第二粘结层为Si层，所述介质层为SiO₂层。

6.如权利要求4所述的软磁薄膜，其特征在于，所述第一粘结层和/或所述第二粘结层为Si层，所述介质层为Si₃N₄层。

7.如权利要求4所述的软磁薄膜，其特征在于，所述第一粘结层和/或所述第二粘结层为Ti层，所述介质层为TiO₂层。

8.如权利要求4所述的软磁薄膜，其特征在于，所述第一粘结层和/或所述第二粘结层为Ti层，所述介质层为TiN层。

9.如权利要求4所述的软磁薄膜，其特征在于，所述第一粘结层和/或所述第二粘结层为Ta层，所述介质层为TaN层。

10.如权利要求1所述的软磁薄膜，其特征在于，每层所述第一粘结层和/或每层所述第二粘结层的厚度为1-10nm。

11.如权利要求1所述的软磁薄膜，其特征在于，每层所述介质层的厚度为1-100nm。

12.一种软磁薄膜的制备方法，包括循环制备层结构的步骤，以形成堆叠设置的多组层结构，其特征在于，所述制备层结构的步骤包括：

S1：溅射软磁材料层；

S2：溅射介质层；

其中，在所述S1和所述S2之间还包括S3：在所述软磁材料层上溅射第一粘结层；和/或，

在所述S2之后还包括S4：在所述介质层上溅射第二粘结层；并且，

所述第一粘结层和所述第二粘结层的热膨胀系数小于所述软磁材料层的热膨胀系数，且大于所述介质层的热膨胀系数。

13.如权利要求12所述的方法，其特征在于，

所述软磁材料层为镍铁合金层；

所述介质层为二氧化硅层；以及

所述第一粘结层和/或所述第二粘结层为硅层。

14.如权利要求13所述的方法，其特征在于，在所述S3和/或S4中，溅射工艺气体的流量范围为0.1～200sccm。

15.如权利要求13所述的方法，其特征在于，在所述S3和/或S4中，

靶材与直流电源电连接，所述直流电源输出的溅射功率范围为1～3000W，溅射时长范围为1～100s。