[发明专利]一种降低半导体器件背面金属接触电阻的方法有效
| 申请号： | 201610915694.0 | 申请日： | 2016-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN107968048B | 公开（公告）日： | 2021-03-23 |
| 发明（设计）人： | 何作鹏;杨素素 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L29/45;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 降低 半导体器件 背面 金属 接触 电阻 方法 | ||
1.一种降低半导体器件背面金属接触电阻的方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供半导体衬底，所述半导体衬底具有相对的正面和背面；
对所述半导体衬底背面进行减薄处理；
干法蚀刻去除所述半导体衬底背面表面的微裂纹层；
湿法刻蚀处理所述半导体衬底的背面，去除损伤层；
在所述半导体衬底背面上形成背面金属电极，形成所述背面金属电极的步骤包括：在所述半导体衬底的背面上沉积金属层，然后使所述金属层与所述半导体衬底反应形成合金层，其中，所述形成合金层的温度为300-350℃。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述减薄处理的方法是研磨。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述沉积金属层的工艺是物理气相沉积工艺。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，通过所述干法蚀刻 工艺刻蚀掉的所述半导体衬底的厚度为2-3μm。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，通过所述湿法刻蚀工艺刻蚀掉的所述半导体衬底的厚度为7-8μm。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述形成合金层的方法是原位退火。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述干法蚀刻工艺的条件为，压力：8-12豪托；源射频：450-550W；射频偏压：55-65W。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
