[发明专利]磁性隧道结的参考层的制备方法、磁性隧道结的制备方法

权利要求书

1.一种磁性隧道结的参考层的制备方法，其特征在于，包括采用沉积工艺设置所述参考层的各膜层，采用等离子体处理各所述膜层中的一层或多层，以及对等离子体处理后的各所述膜层中的一层或多层进行退火处理，所述退火处理的保温温度为120~400℃，所述退火处理的保温时间为5s~1h，所述退火处理的升温速率为0.1~1℃/s，降温速率为0.1~1℃/s, 所述等离子体处理为等离子体刻蚀，所述等离子体处理过程中对所述膜层的刻蚀速率小于0.02 nm/s，所述等离子体处理刻蚀去除的材料厚度为0.01~1 nm。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述退火处理的升温速率为0.3℃/s，降温速率为0.3℃/s。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述参考层的各膜层包括反铁磁钉扎层（21）和铁磁被钉扎层（22），所述制备方法包括：

沉积反铁磁钉扎层（21）；

在所述反铁磁钉扎层（21）之上沉积铁磁被钉扎层（22）；

对所述铁磁被钉扎层（22）进行等离子体处理；以及

在磁场中，对等离子体处理后的所述铁磁被钉扎层（22）进行退火处理。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述参考层的各膜层包括第一铁磁被钉扎层（221）、非磁性中间层（23）和第二铁磁被钉扎层（222），所述制备方法包括：

沉积所述第一铁磁被钉扎层（221）；

对所述第一铁磁被钉扎层（221）进行等离子体处理；

对等离子体处理后的所述第一铁磁被钉扎层（221）进行退火处理；

在所述第一铁磁被钉扎层（221）上沉积非磁性中间层（23）；

在所述非磁性中间层（23）上沉积所述第二铁磁被钉扎层（222）。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述参考层的各膜层包括第一铁磁被钉扎层（221）、非磁性中间层（23）和第二铁磁被钉扎层（222），所述制备方法包括：

沉积所述第一铁磁被钉扎层（221）；

在所述第一铁磁被钉扎层（221）上沉积非磁性中间层（23）；

在所述非磁性中间层（23）上沉积所述第二铁磁被钉扎层（222）；

对所述第二铁磁被钉扎层（222）进行等离子体处理；以及

对等离子体处理后的所述第二铁磁被钉扎层（222）进行退火处理。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述参考层的各膜层包括第一铁磁被钉扎层（221）、非磁性中间层（23）和第二铁磁被钉扎层（222），所述制备方法包括：

沉积所述第一铁磁被钉扎层（221）；

对所述第一铁磁被钉扎层（221）进行等离子体处理；

对等离子体处理后的所述第一铁磁被钉扎层（221）进行退火处理；

在所述第一铁磁被钉扎层（221）上沉积非磁性中间层（23）；

在所述非磁性中间层（23）上沉积所述第二铁磁被钉扎层（222）；

对所述第二铁磁被钉扎层（222）进行等离子体处理；以及

对等离子体处理后的所述第二铁磁被钉扎层（222）进行退火处理。

7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述参考层的各膜层包括反铁磁钉扎层（21）、第一铁磁被钉扎层（221）、非磁性中间层（23）和第二铁磁被钉扎层（222），所述制备方法包括：

沉积所述反铁磁钉扎层（21）；

在所述反铁磁钉扎层（21）上沉积所述第一铁磁被钉扎层（221）；

对所述第一铁磁被钉扎层（221）进行等离子体处理；

在磁场中，对等离子体处理后的所述第一铁磁被钉扎层（221）进行退火处理；

在所述第一铁磁被钉扎层（221）上沉积非磁性中间层（23）；

在所述非磁性中间层（23）上沉积所述第二铁磁被钉扎层（222）。