[发明专利]磁性隧道结的自由层的制备方法及磁性隧道结的制备方法有效

申请号：	201610898368.3	申请日：	2016-10-14
公开（公告）号：	CN107958953B	公开（公告）日：	2021-07-13
发明（设计）人：	刘鲁萍;简红;蒋信	申请（专利权）人：	中电海康集团有限公司;浙江驰拓科技有限公司
主分类号：	H01L43/12	分类号：	H01L43/12
代理公司：	北京康信知识产权代理有限责任公司 11240	代理人：	赵囡囡;梁文惠
地址：	311121 浙江省杭州***	国省代码：	浙江;33
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摘要：
搜索关键词：	磁性隧道自由制备方法
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【权利要求书】：

1.一种磁性隧道结的自由层的制备方法，其特征在于，包括采用沉积工艺设置所述自由层的各薄膜，对各所述薄膜中的一层或多层进行第一等离子体处理，以及对第一等离子体处理后的各所述薄膜中的一层或多层进行第一退火处理，所述第一退火处理的保温温度为120～400℃，所述第一退火处理的保温时间为5s～1h，所述第一退火处理的升温速率为0.1～1℃/s，所述第一退火处理的降温速率为0.1～1℃/s，所述第一等离子体处理为第一等离子体刻蚀，所述第一等离子体处理过程中对所述薄膜的刻蚀速率小于0.02nm/s，所述第一等离子体处理刻蚀去除的材料厚度为0.01～1nm。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一退火处理的升温速率为0.3℃/s，所述第一退火处理的降温速率为0.3℃/s。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述薄膜包括铁磁自由层(40’)，所述制备方法包括：

沉积所述铁磁自由层(40’)；

对所述铁磁自由层(40’)进行所述第一等离子体处理；

对第一等离子体处理后的所述铁磁自由层(40’)进行所述第一退火处理。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述薄膜包括第一层铁磁自由层(41)、非磁性金属插入层(42)和第二层铁磁自由层(43)，所述制备方法包括：

沉积所述第一层铁磁自由层(41)；

对所述第一层铁磁自由层(41)进行所述第一等离子体处理；

对等离子体处理后的第一层铁磁自由层(41)进行所述第一退火处理；

在沉积的所述第一层铁磁自由层(41)或者所述第一等离子体处理后的所述第一层铁磁自由层(41)或者第一退火处理后的所述第一层铁磁自由层(41)上沉积所述非磁性金属插入层(42)；

在沉积的所述非磁性金属插入层(42)上沉积所述第二层铁磁自由层(43)。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述薄膜包括第一层铁磁自由层(41)、非磁性金属插入层(42)和第二层铁磁自由层(43)，所述制备方法包括：