[发明专利]一种基于热爆反应制备高纯Ti2SnC陶瓷粉体方法在审
| 申请号: | 201610895475.0 | 申请日: | 2016-10-13 |
| 公开(公告)号: | CN106631023A | 公开(公告)日: | 2017-05-10 |
| 发明(设计)人: | 朱春城;孙和鑫;李刚;林红;李啸轩 | 申请(专利权)人: | 哈尔滨师范大学 |
| 主分类号: | C04B35/56 | 分类号: | C04B35/56;C04B35/626 |
| 代理公司: | 哈尔滨市松花江专利商标事务所23109 | 代理人: | 侯静 |
| 地址: | 150080 黑龙*** | 国省代码: | 黑龙江;23 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 基于 反应 制备 高纯 ti2snc 陶瓷 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种Ti2SnC陶瓷粉体制备方法。
背景技术
Ti2SnC是一种新型的三元层状可加工陶瓷材料,因其兼具有金属和陶瓷的优良性能,如:良好的导电性和导热性,优良的抗氧化性和抗热震性,低硬度(~3.5GPa)和较高的自润滑性,以及较好的机械加工性等,而备受广大材料科学工作者的青睐,成为研究热点。由于Ti2SnC具有较高的电导率[~14×106(Ωm)-1],闫程科等[金属学报,39(2003)99]将其作为增强相,采用粉末冶金技术制备Cu/Ti2SnC复合材料,但在保持导电性的前提下,硬度有所降低。丁昱寰等[热加工工艺,44(2015)143]采用热压烧结方法以(Ti2SnC+TiB2)为增强相制备Cu/Ti2SnC+TiB2复合材料,提高了材料的硬度。因此,Ti2SnC在电机电刷、热交换材料以及减磨耐磨部件等相关领域具有潜在的应用价值。
目前关于Ti2SnC的合成主要为热压(HP)、自蔓延高温合成技术(SHS)、热等静压(HIP)以及无压烧结等方法。H.Vincent等[Mater.Sci.Eng.A,56(1998)83]以Ti粉、Sn粉、C粉为原料,将Ti/Sn/C按化学计量比(2:1:1)利用无压技术于在1250℃的条件下保温1-4h合成了Ti2SnC粉体材料。周延春等[Mater.Res.Innovat,6(2002)219]以Ti/Sn/C为原料在1250℃的温度下热压烧结2小时合成了Ti2SnC材料。李世波等[J.Am.Ceram.Soc,89(2006)3617]分别以Ti粉、Sn粉、C粉和TiC粉为原料利用无压烧结在1200℃下保温15-60min获得Ti2SnC粉体。从目前的研究情况来看,此类材料存在合成温度高、加热时间长、耗能高、成本高以及工艺复杂等缺点。极大的限制了陶瓷粉体材料的推广和应用,很难形成工业化和产业化。
发明内容
本发明的目的是要解决现有传统热爆反应制备的陶瓷粉体纯度低的问题,而提供一种基于热爆反应制备高纯Ti2SnC陶瓷粉体方法。
本发明一种基于热爆反应制备高纯Ti2SnC陶瓷粉体方法,具体是按以下步骤完成的:
一、以钛粉、锡粉和碳粉为原料,按照Ti:Sn:C=2:(0.9~1.5):(0.8~1.5)的摩尔比,用乙醇作为分散剂球磨混合,得到混合后的粉末;二、将混合后的粉末放入真空烘箱中烘干,得到干燥后的粉末,将干燥后的粉末放入瓷舟中,再转移至无压烧结炉中,在无压烧结炉中以升温速率为10℃/min~40℃/min至进行热爆反应,热爆反应后无压烧结炉内温度继续升温至600~1300℃,并在温度为600~1300℃下恒温1h~4h,然后冷却至室温,取出后粉碎、过筛,即得到Ti2SnC陶瓷粉体。
本发明优点:一、本发明Ti2SnC陶瓷粉体的制备方法利用热爆合成工艺,以低成本的钛粉、锡粉和碳粉为原料制备出低成本、高纯度的陶瓷粉体而且制备工艺简单;二、与传统的热爆反应相比优点:1、此反应无需外加化学炉燃料引燃剂;2、热爆反应与热处理过程同炉进行,无需降温后二次热处理节约资源;3、此反应采用无压烧结炉代替化学炉与空气炉,保证了材料无氧化过程,无需加酸处理。三、本发明制备的Ti2SnC陶瓷粉体纯度达到90%以上,最高可达97.2%。四、解决现有传统热爆反应制备的陶瓷粉体纯度低,且无需冷却至室温后再在进行热处理,具有热爆制备与热处理同炉进行的优点。
附图说明
图1是试验二制备的Ti2SnC陶瓷粉体的XRD图,图中表示Ti2SnC。
具体实施方式
具体实施方式一:本实施方式是一种基于热爆反应制备高纯Ti2SnC陶瓷粉体方法,具体是按以下步骤完成的:
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