[发明专利]研磨垫、研磨垫的制作方法及研磨方法

说明书

一种研磨垫、研磨垫的制作方法及研磨方法。用于化学机械研磨设备的研磨垫包含第一支撑层与研磨层。研磨层位于第一支撑层上。研磨层具有顶面与至少一第一空腔。研磨层的顶面背对于第一支撑层。第一空腔至少埋藏于研磨层的顶面下方。当研磨浆在研磨层的顶面研磨多个晶圆一段时间后，埋藏于顶面下方的第一空腔可裸露而容置研磨浆并继续用来研磨晶圆，因此可延长研磨垫的使用寿命。

技术领域

本揭露是有关于一种研磨垫，一种研磨垫的制作方法，及一种研磨方法。

背景技术

化学机械研磨/平坦化(CMP)为一种结合化学力与机械力来让表面平滑的制程。此制程使用具有研磨与腐蚀作用的化学研磨浆，且与研磨垫一并使用。化学机械研磨/平坦化制程能移除在晶圆上的材料，且易于使晶圆的不规则起伏变得平坦稳定，进而使晶圆变平或呈平面的。

发明内容

本揭露的一技术态样为一种研磨垫，用于化学机械研磨设备。

根据本揭露多个实施方式，一种研磨垫包含第一支撑层与研磨层。研磨层位于第一支撑层上。研磨层具有顶面与至少一第一空腔，其中顶面背对于第一支撑层，且第一空腔至少埋藏于研磨层的顶面下方。

本揭露的一技术态样为一种研磨垫的制作方法。

根据本揭露多个实施方式，一种研磨垫的制作方法包含：形成具有顶面、至少一第一沟槽与至少一第二沟槽的研磨层，其中第一沟槽与第二沟槽各自与研磨层的顶面相隔不同的垂直距离；接合研磨层到至少一支撑层上，其中在接合研磨层后，研磨层的顶面背对于支撑层。

本揭露的一技术态样为一种研磨方法。

根据本揭露多个实施方式，一种研磨方法包含：供应研磨浆至研磨垫上，其中研磨垫具有至少一开槽与至少一埋藏槽，且供应研磨浆是供应研磨浆的至少一部分至该开槽中；托住抵靠在研磨垫的至少一工件；相对于研磨垫旋转工件，其中在旋转工件的过程中，研磨垫被磨损而裸露出埋藏槽。

在本揭露上述多个实施方式中，由于研磨垫的研磨层具有埋藏于其顶面下方的空腔，因此当研磨浆在研磨层的顶面研磨多个晶圆一段时间后，埋藏于顶面下方的空腔可裸露而容置研磨浆并继续用来研磨晶圆。如此一来，可延长研磨垫的使用寿命、降低研磨浆的使用量，并提升晶圆的平坦化与良率。

附图说明

当结合所附附图阅读时，以下详细描述将较容易理解本揭露的态样。应注意，根据工业中的标准实务，各特征并非按比例绘制。事实上，出于论述清晰的目的，可任意增加或减小各特征的尺寸。

图1绘示根据本揭露多个实施方式的化学机械研磨设备的立体图；

图2绘示图1的化学机械研磨设备的研磨垫的局部放大图；

图3绘示图2的研磨垫沿线段3-3的剖面图；

图4绘示图3的研磨垫当其第二沟槽裸露后的剖面图；

图5绘示图3的研磨层的局部放大图；

图6绘示根据本揭露多个实施方式的研磨垫的剖面图；

图7绘示根据本揭露多个实施方式的研磨垫的剖面图；

图8绘示根据本揭露多个实施方式的研磨垫的剖面图；

图9绘示根据本揭露多个实施方式的研磨垫的剖面图；

图10绘示根据本揭露多个实施方式的研磨垫的制作方法的流程图；

图11绘示根据本揭露多个实施方式的研磨方法的流程图。

具体实施方式