[发明专利]互连结构及其制造方法

权利要求书

1.一种互连结构的制造方法，其特征在于，包括：

提供在金属互连层上的第一电介质层；

在所述第一电介质层上沉积含氢的碳氟化合物层；

在所述碳氟化合物层上沉积第二电介质层；

以所述碳氟化合物层为蚀刻停止层对所述第二电介质层进行刻蚀，以形成到所述碳氟化合物层的开口；

所述第二电介质层包括多孔低k电介质层或多孔超低k电介质层。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述以所述碳氟化合物层为蚀刻停止层对所述第二电介质层进行刻蚀，以形成到所述碳氟化合物层的开口包括：

在所述第二电介质层上形成图案化的硬掩模层，所述硬掩膜层具有延伸到所述硬掩膜层中的第一开口；

在所述硬掩模层上形成图案化的第一掩模层，所述第一掩模层具有延伸到所述第一开口的底部的第二开口；

以所述第一掩模层为掩模刻蚀所述硬掩模层和所述第二电介质层；

去除所述第一掩模层，从而形成到所述碳氟化合物层的所述开口。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，还包括：

以剩余的硬掩模层为掩模去除所述开口下的碳氟化合物层和第一电介质层，并去除第一开口下的硬掩模层和第一电介质层，从而形成到所述金属互连层的通孔和到剩余的碳氟化合物层的沟槽。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，

所述第一掩模层具有延伸到所述第一开口的底部的两个第二开口，从而形成到所述金属互连层的两个通孔。

5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，还包括：

沉积金属以填充所述沟槽和所述通孔。

6.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述在所述第二电介质层上形成图案化的硬掩模层包括：

在所述第二电介质层上依次形成第一硬掩模层、第二硬掩模层和第三硬掩模层；

在所述第三硬掩模层之上形成图案化的第二掩模层；

以所述第二掩模层为掩模刻蚀所述第三硬掩模层和所述第二硬掩模层，从而形成延伸到所述第二硬掩模层中或延伸到所述第一硬掩模层的表面的第一开口；

去除所述第二掩模层。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述在所述第三硬掩模层之上形成图案化的第二掩模层包括：

在所述第三硬掩模层上形成遮蔽氧化物层；

在所述遮蔽氧化物层上形成所述第二掩模层；

所述以所述第二掩模层为掩模刻蚀所述第三硬掩模层和所述第二硬掩模层包括：

以所述第二掩模层为掩模刻蚀所述遮蔽氧化物层、所述第三硬掩模层和所述第二硬掩模层；

在去除所述第二掩模层之后，所述方法还包括：

去除剩余的遮蔽氧化物层。

8.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，

所述第一硬掩模层包括无孔的SiOCH；

所述第二硬掩模层包括TEOS；

所述第三硬掩模层包括TiN。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述第一电介质层上沉积碳氟化合物层后，还包括：

对沉积的碳氟化合物层进行含氧的等离子体处理。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述含氧的等离子体的源气体包括O₂、O₃或H₂O。

11.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一电介质层包括多孔低k电介质层。