[发明专利]固态成像装置和电子设备有效
申请号: | 201610864703.8 | 申请日: | 2014-06-20 |
公开(公告)号: | CN106847841B | 公开(公告)日: | 2019-02-19 |
发明(设计)人: | 野村宏利 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/232;H04N5/369;H04N5/3745 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 邱军;刘雅秀 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 固态 成像 装置 电子设备 | ||
1.一种成像装置,包括:
相差像素,该相差像素包括:
微型透镜;
第一光电转换结构,配置来通过所述微型透镜接收光;
第二光电转换结构,配置来通过所述微型透镜接收光;
第一转换晶体管,对应于所述第一光电转换结构;
第二转换晶体管,对应于所述第二光电转换结构;
其中,与第一光电转换结构和第二光电转换结构绝缘的光屏蔽膜埋设在所述第一光电转换结构和所述第二光电转换结构之间的区域中,并且所述光屏蔽膜埋设其中的所述区域根据将光聚集到成像装置的光学系统的光瞳位置移动。
2.根据权利要求1所述的成像装置,
其中所述微型透镜与所述第一光电转换结构和所述第二光电转换结构重叠。
3.根据权利要求1所述的成像装置,
其中,对应于所述相差像素设置白色滤色器。
4.根据权利要求1所述的成像装置,
其中所述相差像素还包括第三光电转换结构和第四光电转换结构。
5.一种成像装置,包括:
相差像素,该相差像素包括:
微型透镜;
第一光电转换结构,配置来通过所述微型透镜接收光;
第二光电转换结构,配置来通过所述微型透镜接收光;
具有光屏蔽特性的金属膜;
其中,所述金属膜埋设在所述第一光电转换结构和所述第二光电转换结构之间的区域中,并且所述金属膜埋设其中的所述区域根据将光聚集到成像装置的光学系统的光瞳位置移动。
6.根据权利要求5所述的成像装置,
其中所述微型透镜与所述第一光电转换结构和所述第二光电转换结构重叠。
7.根据权利要求5所述的成像装置,
其中,对应于所述相差像素设置白色滤色器。
8.根据权利要求5所述的成像装置,
其中所述相差像素还包括第三光电转换结构和第四光电转换结构。
9.一种成像装置,包括:
像素阵列单元,该像素阵列单元包括第一像素;以及
列处理单元;
其中所述第一像素包括:
微型透镜;
第一转换晶体管;
第二转换晶体管;
浮置扩散区域;
第一光电转换元件,配置来通过所述微型透镜接收光并且通过所述第一转换晶体管与所述浮置扩散区域连接;
第二光电转换元件,配置来通过所述微型透镜接收光并且通过所述第二转换晶体管与所述浮置扩散区域连接;以及
设置在所述第一光电转换元件和所述第二光电转换元件之间的沟槽区域,其中与第一光电转换结构和第二光电转换结构绝缘的光屏蔽膜埋设在该沟槽区域,所述第一像素布置在离所述像素阵列单元中心的一定距离,并且所述沟槽区域根据将光聚集到成像装置的光学系统的光瞳的位置从所述第一像素的中心移动。
10.根据权利要求9所述的成像装置,还包括形成在所述第一光电转换元件和所述第二光电转换元件上的固定电荷膜,其中所述固定电荷膜埋设在所述沟槽区域。
11.根据权利要求9所述的成像装置,还包括形成在所述第一光电转换元件和所述第二光电转换元件上的绝缘膜,其中所述绝缘膜埋设在所述沟槽区域。
12.根据权利要求10所述的成像装置,还包括形成雕刻的光屏蔽膜和阻挡金属的金属材料,所述阻挡金属形成在雕刻的光屏蔽膜和在所述沟槽区域中的固定电荷膜之间。
13.根据权利要求9所述的成像装置,其中所述第一像素的所述沟槽区域从平面图看形成为“十字”的形状。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的