[发明专利]组装方法

说明书

本发明公开了一种组装方法，包含以下步骤。在基板上至少形成第一导电结构。在半导体元件上至少形成第二导电结构。压合基板与半导体元件。在压合的前段过程中，第一导电结构与第二导电结构是局部地接触而形成应力集中区，故可利于第一导电结构与第二导电结构的接合，因而可降低第一导电结构与第二导电结构接合过程所需的温度。此外，由于第一导电结构与第二导电结构接合所需的温度被降低，故可进一步地降低基板与半导体元件受热所产生的翘曲量。

技术领域

本发明涉及一种组装方法，特别涉及一种导电结构接合的组装方法。

背景技术

近年来，随着电子产业的蓬勃发展，电子产品的外型趋向轻薄短小，在功能上则逐渐迈入高性能、高功能、高速度化的研发方向。一般而言，高效电子元件具有高密度的连接脚位，往往是利用焊锡球(solder balls)或是金属凸块(metal bumps)来达到彼此之间电性和机械性连接的目的。举例来说，半导体元件通常是利用焊锡球与金属凸块与封装基板相连接，此种连接技术又称为覆晶接合(flip-chip)。

在现行覆晶技术中，焊锡球须经由回焊工艺或其它高温工艺而将焊锡球转变为融熔状态，以利于后续连接金属凸块。

发明内容

本发明的目的是提供一种组装方法，其可利于降低基板与半导体元件的组装过程所需的温度。

依据本发明的部分实施方式，一种组装方法包含以下步骤。在基板上至少形成第一导电结构，且在半导体元件上至少形成第二导电结构。接着，压合基板与半导体元件，其中在压合的前段过程中，第一导电结构与第二导电结构是局部地接触而形成应力集中区。

依据本发明的部分实施方式，其中形成第一导电结构包含：形成第导电结构的起伏状顶面，其中在压合的前段过程中，该应力集中区是形成于起伏状顶面。

依据本发明的部分实施方式，其中形成第二导电结构包含：形成第二导电结构的起伏状底面，且起伏状底面与起伏状顶面的形状不匹配，其中在压合的前段过程中，应力集中区是形成于起伏状顶面与起伏状底面的接触区。

依据本发明的部分实施方式，其中形成第二导电结构包含：形成第二导电结构的平坦底面，其中在压合的前段过程中，应力集中区是形成于起伏状顶面与平坦底面的接触区。

依据本发明的部分实施方式，其中该形成该第二导电结构包含：形成第二导电结构的起伏状底面，其中在压合的前段过程中，应力集中区是形成于起伏状底面。

依据本发明的部分实施方式，其中形成第一导电结构包含：形成第一导电结构的平坦顶面，其中在压合的前段过程中，应力集中区是形成于平坦顶面与起伏状底面的接触区。

依据本发明的部分实施方式，其中在压合的过程中，温度介于摄氏60度与摄氏160度之间。

依据本发明的部分实施方式，还包含：于该第一导电结构、该第二导电结构或两者中至少形成抗氧化层。

在上述实施方式中，在压合基板与半导体元件的前段过程中，由于第一导电结构与第二导电结构是局部接触而形成应力集中区，故可利于第一导电结构与第二导电结构的接合，因而可降低第一导电结构与第二导电结构的接合过程的所需温度。此外，由于第一导电结构与第二导电结构的接合所需温度被降低，故可进一步地降低基板与半导体元件受热所产生的翘曲量。

依据本发明的部分实施方式，一种组装方法包含以下步骤。在基板上至少形成第一铜结构，第一铜结构具有第一接合面。在半导体元件上至少形成第二铜结构，第二铜结构具有第二接合面，且第一接合面与第二接合面的形状不匹配。接着，压合基板与半导体元件，使得第一接合面与第二接合面接合。

依据本发明的部分实施方式，其中在压合的过程中，温度介于摄氏60度与摄氏160度之间。