[发明专利]用于控制具有可调电容的电容器的设备有效
申请号: | 201610848400.7 | 申请日: | 2016-09-23 |
公开(公告)号: | CN107066002B | 公开(公告)日: | 2018-11-27 |
发明(设计)人: | S·沙莱;J·厄尔捷;L·热弗罗 | 申请(专利权)人: | 意法半导体(图尔)公司 |
主分类号: | G05F1/56 | 分类号: | G05F1/56 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 王茂华;董典红 |
地址: | 法国*** | 国省代码: | 法国;FR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 控制 具有 可调 电容 电容器 设备 | ||
一种设备,包括:第一电容器,具有可通过施加偏置电压调节为设置点值的电容;第二电容器,具有可通过施加偏置电压调节为设置点值的电容,第二电容器被配置为接收与第一电容器相同的偏置电压;以及控制电路,能够接收所述设置点值并在考虑表示第二电容器的电容的量的情况下生成所述偏置电压。
本申请要求2016年2月10日提交的法国专利申请号16/51064的优先权权益,据此在法律允许的最大程度上通过参考将其内容整体结合于此。
技术领域
本发明总的来说涉及电路,更具体地涉及对具有可通过施加偏置电压调节的值的电容器的控制。本发明更具体地应用于BST(钡-锶-钛)电容器的控制。
背景技术
BST电容器主要被开发用于无线电应用,具体用于移动电话。使电容器具有类推可调电容显著提高了性能,因为这使得能够将包括这种电容器的设备适用于外部环境。
BST电容器通常以包括至少三个端子的集成电路的形式出现,其中两个端子对应于电容器电极(用于连接至射频应用),一个端子施加DS偏置电位。电容器的电容由施加至其的DC偏置电位的值来设置,该偏置电位通常在几伏特到几十伏特的范围内,典型地在2伏特和20伏特之间。
BST电容器的偏置电压通常通过专用控制电路来提供,其执行高电压数模转换,即,将数字配置字(通常为字节)转换为DC模拟电压,该模拟电压被施加给电容器以设置其电容。
现在,BST电容器的控制或配置是不精确的,这是由于制造容限和温度相关的变化以及与电容器滞后相关的变化而引起。
发明内容
因此,实施例提供了一种设备,包括:第一电容器,具有可通过施加偏置电压调节为设置点值的电容;第二电容器,具有可通过施加偏置电压调节为设置点值的电容,第二电容器被配置为接收与第一电容器相同的偏置电压;以及控制电路,能够接收所述设置点值,并在考虑表示第二电容器的电容的量的情况下生成所述偏置电压。
根据实施例,第一电容器和第二电容器被匹配以基本具有相同的温度变化。
根据实施例,第一电容器和第二电容器在制造差量(manufacturing dispersion)内相同。
根据实施例,控制电路包括:第一电路,第一电路与第二电容器一起形成能够生成第一频率的振荡器,第一频率根据第二电容器的电容而变化;以及反馈环路,能够调节偏置电压,以利用第二参考频率控制第一频率。
根据实施例,第一电路包括可调电阻器,第一频率的值还取决于可调电阻器的值。
根据实施例,可调电阻器的值根据设置点值来设置。
根据实施例,控制电路包括第二电路,第二电路与设备的第三固定电容器一起形成能够生成第二参考频率的振荡器。
根据实施例,第三固定电容器是金属-陶瓷-金属电容器。
根据实施例,第二电路包括不可调电阻器,第二参考频率的值还取决于不可调电阻器的值。
根据实施例,可调电阻器和不可调电阻器被匹配以基本具有相同的温度变化。
根据实施例,第一电容器和第二电容器被集成在第一芯片中,第一芯片包括:第一端子和第二端子,耦合至第一电容器的电极;第三端子,施加偏置电压;以及第四端子,耦合至第二电容器的电极。
根据实施例,控制电路被集成在不同于第一芯片的第二芯片中。
以下将结合附图在具体实施例的非限制性描述中详细讨论前述和其他的特征和优势。
附图说明
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