[发明专利]用于控制具有可调电容的电容器的设备有效
申请号: | 201610848400.7 | 申请日: | 2016-09-23 |
公开(公告)号: | CN107066002B | 公开(公告)日: | 2018-11-27 |
发明(设计)人: | S·沙莱;J·厄尔捷;L·热弗罗 | 申请(专利权)人: | 意法半导体(图尔)公司 |
主分类号: | G05F1/56 | 分类号: | G05F1/56 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 王茂华;董典红 |
地址: | 法国*** | 国省代码: | 法国;FR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 控制 具有 可调 电容 电容器 设备 | ||
1.一种电子设备,包括:
第一电容器(CV),具有可通过施加偏置电压(VBIAS)调节为设置点值的电容;
第二电容器(CV’),具有可通过施加偏置电压调节为设置点值的电容,所述第二电容器(CV’)被配置为接收与所述第一电容器(CV)相同的偏置电压(VBIAS);以及
控制电路(121),能够接收所述设置点值,并在考虑表示所述第二电容器(CV’)的电容的量的情况下生成所述偏置电压(VBIAS)。
2.根据权利要求1所述的设备,其中,所述第一电容器(CV)和所述第二电容器(CV’)被匹配以基本具有相同的温度变化。
3.根据权利要求1所述的设备,其中,所述第一电容器(CV)和所述第二电容器(CV’)在制造差量内相同。
4.根据权利要求1所述的设备,其中,所述控制电路(121)包括:第一电路(205),所述第一电路与所述第二电容器(CV’)一起形成能够生成第一频率(fVCO)的振荡器,所述第一频率根据所述第二电容器(CV’)的电容而变化;以及反馈环路(209,217),能够调节所述偏置电压(VBIAS),以利用第二参考频率(fREF)控制所述第一频率(fVCO)。
5.根据权利要求4所述的设备,其中,所述第一电路(205)包括可调电阻器(RVCO),所述第一频率(fVCO)的值还取决于所述可调电阻器(RVCO)的值。
6.根据权利要求5所述的设备,其中,所述可调电阻器(RVCO)的值根据所述设置点值来设置。
7.根据权利要求5所述的设备,其中,所述控制电路(121)包括第二电路(201),所述第二电路与所述设备的第三固定电容器(CREF)一起形成能够生成所述第二参考频率(fREF)的振荡器。
8.根据权利要求7所述的设备,其中,所述第三固定电容器(CREF)是金属-陶瓷-金属电容器。
9.根据权利要求7所述的设备,其中,所述第二电路(201)包括不可调电阻器(RREF),所述第二参考频率(fREF)的值还取决于所述不可调电阻器(RREF)的值。
10.根据权利要求9所述的设备,其中,所述可调电阻器(RVCO)和所述不可调电阻器(RREF)被匹配以基本具有相同的温度变化。
11.根据权利要求1所述的设备,其中,所述第一电容器(CV)和所述第二电容器(CV’)被集成在第一芯片(101)中,所述第一芯片包括:
第一端子(103)和第二端子(105),耦合至所述第一电容器(CV)的电极;
第三端子(107),施加所述偏置电压(VBIAS);以及
第四端子(111),耦合至所述第二电容器(CV’)的电极。
12.根据权利要求11所述的设备,其中,所述控制电路(121)被集成在不同于所述第一芯片(101)的第二芯片中。
13.根据权利要求1所述的设备,其中,所述第一电容器和所述第二电容器包括钡-锶-钛电容器。
14.根据权利要求1所述的设备,其中,所述控制电路包括:
第一振荡器电路,耦合到所述第二电容器并被配置为生成第一频率,所述第一频率根据所述第二电容器的电容而变化;
第二振荡器电路,耦合到参考电容器并被配置为生成第二频率,所述第二频率根据所述参考电容器的电容是固定的;以及
频率差电路,被配置为接收所述第一频率和所述第二频率,并且生成指示所述第一频率和所述第二频率之差的幅度的控制信号;
其中从所述控制信号导出所述偏置电压。
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