[发明专利]铝表面电沉积制备低吸收率与高半球发射率氧化膜的方法在审
| 申请号： | 201610828244.8 | 申请日： | 2016-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN106435685A | 公开（公告）日： | 2017-02-22 |
| 发明（设计）人： | 陈东初;倪磊;常萌蕾;魏红阳 | 申请（专利权）人： | 佛山科学技术学院 |
| 主分类号： | C25D11/08 | 分类号： | C25D11/08;C25D9/04;C25D5/18 |
| 代理公司： | 北京精金石专利代理事务所(普通合伙)11470 | 代理人： | 刘晔 |
| 地址： | 528000 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 表面 沉积 制备 吸收率 半球 发射 氧化 方法 | ||
【说明书】：
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于佛山科学技术学院，未经佛山科学技术学院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201610828244.8/2.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种铝卷材无接触连续阳极氧化工艺
- 下一篇：一种手机中框制备方法
