[发明专利]用于光刻的场内过程控制

说明书

本申请涉及用于光刻的场内过程控制。在一些实施例中，本申请案涉及一种用于光刻工具的过程控制的方法及系统。所述方法将参考图案转印到参考工件的曝光场以形成重叠参考层对。测量所述重叠参考层之间的未对准以形成第一基线映图及第二基线映图，且从所述第一基线映图及所述第二基线映图形成Δ基线映图。将生产图案转印到生产工件的曝光场以形成在第一生产层上方进行布置且与第一生产层对准的第二生产层。测量所述第一生产层与所述第二生产层之间的未对准以形成生产映图。变换所述Δ基线映图且随后与所述生产映图相加，以形成最终生产映图。基于所述最终生产映图更新处理工具的参数。

技术领域

本发明涉及一半导体方法，特别针对用于光刻的场内过程控制技术提出改善。

背景技术

在集成电路(IC)的制造期间，执行半导体制造过程的多步序列以在工件上逐渐形成电子电路。一个此半导体制造过程为光刻。光刻为使用辐射(例如，光)将图案从光罩转印到工件的过程。

发明内容

在一些实施例中，本发明涉及一种用于光刻工具的场内过程控制的方法。所述方法包括接收第一基线映图及第二基线映图，其依据参考工件上的位置来描述跨越参考工件分布的参考特征对的未对准。所述方法进一步包括确定作为第一基线映图与第二基线映图之间的差的Δ基线映图。所述方法进一步包括接收生产映图，其依据生产工件上的位置来描述跨越生产工件分布的生产特征对的未对准。所述方法进一步包括将Δ基线映图的曝光场变换为生产映图的对应曝光场，且随后将经变换曝光场与生产映图相加以形成最终生产映图。所述方法进一步包括基于最终生产映图更新光刻工具的参数。

附图说明

当结合附图阅读时，从以下详细描述最好地理解本发明的各方面。应注意，根据行业中的标准惯例，各种特征未按比例绘制。实际上，为了论述清楚起见，可任意增加或减小各种特征的尺寸。

图1说明用于提供场内过程控制的光刻系统的一些实施例的示意图。

图2说明经配置以提供场内过程控制的光刻工具的一些实施例的示意图。

图3说明用于提供场内过程控制的光刻系统的较详细实施例的示意图。

图4说明用于产生Δ基线映图的方法的一些实施例的示意图。

图5说明用于产生生产配方的方法的一些实施例的示意图。

图6说明用于验证最终生产映图的方法的一些实施例的示意图。

图7说明用于光刻工具的场内过程控制的方法的一些实施例的框图。

具体实施方式

本发明提供用于实施本发明的不同特征的许多不同实施例或实例。下文描述组件及布置的特定实例以简化本发明。当然，这些只是实例且并不意欲为限制性的。举例来说，在以下描述中，第一特征在第二特征上方或上的形成可包含第一特征及第二特征直接接触地形成的实施例，且还可包含额外特征可在第一特征与第二特征之间形成使得第一特征与第二特征可不直接接触的实施例。另外，本发明可在各种实例中重复参考数字及/ 或字母。此重复是出于简化及清楚的目的，且本身并不指定所论述的各种实施例及/或配置之间的关系。

此外，为了易于描述，可使用例如“在…下方”、“在…下”、“下部”、“在…上”、“上部”及其类似者的空间相关术语，以描述如图中所说明的一个元件或特征相对于另一元件或特征的关系。除图中所描绘的定向以外，空间相关术语意欲涵盖在使用或操作中的器件的不同定向。装置可以其它方式定向(旋转90度或处于其它定向)，且本文中所使用的空间相关描述词同样可相应地进行解释。