[发明专利]用于光刻的场内过程控制有效
申请号: | 201610809128.1 | 申请日: | 2016-09-05 |
公开(公告)号: | CN107065438B | 公开(公告)日: | 2021-02-19 |
发明(设计)人: | 洪爱真;黄晟砚;卢欣荣;曾衍迪 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 路勇 |
地址: | 中国台湾新竹市*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 光刻 场内 过程 控制 | ||
1.一种用于光刻工具的场内过程控制的方法,所述方法包括:
接收第一基线映图及第二基线映图,其分别依据参考工件上的位置来描述跨越所述参考工件分布的相同对参考特征的未对准;
确定作为所述第一基线映图与所述第二基线映图之间的差的Δ基线映图;
接收生产映图,其依据生产工件上的位置来描述跨越所述生产工件分布的生产特征对的未对准;
将所述Δ基线映图的曝光场个别地变换为所述生产映图的对应曝光场,且随后将所述Δ基线映图的经变换曝光场与所述生产映图相加,以形成最终生产映图;及
基于所述最终生产映图更新光刻工具的参数。
2.根据权利要求1所述的方法,其进一步包括:
使用所述光刻工具将参考图案转印到所述参考工件的曝光场以形成所述相同对参考特征;
测量所述相同对参考特征的未对准以形成所述第一基线映图及所述第二基线映图;
使用所述光刻工具将生产图案转印到所述生产工件的曝光场以形成所述生产特征对;及
测量所述生产特征对的未对准以形成所述生产映图。
3.根据权利要求2所述的方法,其进一步包括:使用浸没式光刻将所述参考图案及所述生产图案分别转印到所述参考工件及所述生产工件。
4.根据权利要求1所述的方法,其进一步包括:
测量所述相同对参考特征中的所述参考特征之间的横 向位移;及
形成将所述对参考特征的位置映射到所述横 向位移的所述第一基线映图或所述第二基线映图。
5.根据权利要求1所述的方法,其中个别地变换所述Δ基线映图的所述曝光场包括:
按比例调整所述Δ基线映图的所述曝光场的大小及形状以匹配所述生产映图的所述对应曝光场的大小及形状。
6.根据权利要求1所述的方法,其进一步包括:
形成将所述生产工件上的位置映射到特征对之间的未对准的对应位移矢量的所述最终生产映图;
形成包括校正由所述最终生产映图描述的未对准的所述参数的校正的生产配方;及
运用所述生产配方更新所述参数。
7.根据权利要求6所述的方法,其进一步包括:
形成包括用于所述最终生产映图的曝光场的个别校正的所述生产配方。
8.根据权利要求1所述的方法,其进一步包括:
紧接在对所述光刻工具执行预防性维护PM之后形成所述第一基线映图;
在对所述光刻工具再次执行PM之前,在形成所述第一基线映图之后形成所述第二基线映图;及
紧接在对所述光刻工具最后执行PM之后形成所述生产映图。
9.根据权利要求1所述的方法,其进一步包括:
紧接在对所述光刻工具执行PM之后形成所述生产映图;
在对所述光刻工具再次执行PM之前,在形成所述生产映图之后形成额外生产映图;
确定作为所述生产映图与所述额外生产映图之间的差的Δ生产映图;
比较所述Δ生产映图与包括所述经变换曝光场的所述Δ基线映图;及
基于所述比较有条件地产生告警。
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