[发明专利]太阳能电池硅片的制绒方法有效
申请号: | 201610788958.0 | 申请日: | 2016-08-31 |
公开(公告)号: | CN106328734B | 公开(公告)日: | 2018-04-06 |
发明(设计)人: | 葛竖坚;翟贝贝;魏晓波;何长春;张文锋 | 申请(专利权)人: | 东方日升新能源股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/0236 | 分类号: | H01L31/0236 |
代理公司: | 杭州橙知果专利代理事务所(特殊普通合伙)33261 | 代理人: | 骆文军 |
地址: | 315600 浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 太阳能电池 硅片 方法 | ||
技术领域
本发明属于太阳能电池制备技术领域,特别是涉及一种太阳能电池硅片的制绒方法。
背景技术
在太阳能电池表面的处理中,制绒是将硅表面进行预清洗并用强碱或强酸腐蚀成类似金字塔状或蜂窝状结构的过程。制绒的目的是其作用不仅可以降低表面的反射率,去除损伤层,而且还可以在电池的内部形成光陷阱(减反射绒面),利用陷光原理,增加了光线在硅片体内运动的有效长度,有利于硅基体对光线的吸收,从而提高太阳电池的转换效率。为此,人们尝试了许多新的制绒工艺,这些方法都可以得到较好的绒面效果,但却存在各种不足。机械刻槽由于刻槽深度较大,对硅片厚度要求较高,不适用于薄衬底太阳电池,变相提高了成本;蜂窝绒面结构技术虽然具备出色的陷光效果,但工艺复杂不适合工业化生产;电化学腐蚀法在大面积硅片上的制绒均匀性不稳定。就目前工业化生产而言,普遍运用的酸腐蚀液是硝酸和氢氟酸体系来制绒,但本领域的技术人员认为基于硝酸和氢氟酸的酸腐蚀液是一种自催化反应,化学反应的较为剧烈,制得的绒面腐蚀坑均匀性较差因此制得的多晶硅电池片质量较低。
发明内容
本发明针对以上问题提供一种基于硝酸和氢氟酸的酸腐蚀液及制得的绒面腐蚀坑均匀性较好的传动轴中间支撑用橡胶。
本发明解决以上问题所用的技术方案是:提供一种太阳能电池硅片的制绒方法,它包括以下步骤:
(1)将HF、HNO3和水的混合液、KOH和水的混合液以及HF、HCL和水的混合液分别放入到链式制绒机的第一个槽、第二个槽和第三个槽中,且体积比为:HF:HNO3:水=1:2.0~3.6:2.4,KOH:水=7:120~160,HF:HCL:水=4:3~7:10;所述水均为纯水;
(2)启动链式制绒机,使得链上的硅片依次通过第一个槽、第二个槽和第三个槽;在第一个槽中每100片硅片通过后,加入HF 260~300ml,加入HNO3 90~140ml;在第二个槽中每100片硅片通过后,加入KOH 5~20ml,加入水50~70ml;在第三个槽中每100片硅片通过后,加入HF 50~90ml,HCL 60~110ml,加入水10~50ml。
作为优选,所述HF:HNO3:水=1:2.5~3.2:2.4。
作为更优选,所述HF:HNO3:水=1:2.92:2.4。
作为优选,所述KOH:水=7:130~155。
作为更优选,所述KOH:水=7:150。
作为优选,所述HF:HCL:水=4:4~6:10。
作为更优选,所述HF:HCL:水=4:5.5:10。
作为优选,所述第一个槽中每100片硅片通过后,加入HF 285ml,加入HNO3 115ml。
作为优选,所述第二个槽中每100片硅片通过后,加入KOH12ml,加入水60ml。
作为优选,所述第三个槽中每100片硅片通过后,加入HF 70.5ml,HCL 85ml,加入水25ml。
采用以上方法后,与现有技术相比,本发明具有以下有益效果:
本发明采用这样的组分配比硝酸和氢氟酸的酸腐蚀液及方法加工后,不需要其它添加剂就可制备绒面腐蚀坑均匀性较好的硅片,对光线的吸收率也就较高,且在生产过程中采用这样的添液方式,使得生产的连续性较好,生产效率较高,从而可大幅降低生产成本。
具体实施方式
以下结合具体实施例,对本发明做进一步描述。
实施例一
一种太阳能电池硅片的制绒方法,它包括以下步骤:
(1)将HF、HNO3和水的混合液、KOH和水的混合液以及HF、HCL和水的混合液分别放入到链式制绒机的第一个槽、第二个槽和第三个槽中,且体积比为:HF:HNO3:水=1:2.0:2.4,KOH:水=7:160,HF:HCL:水=4:7:10;所述水均为纯水;
(2)启动链式制绒机,使得链上的硅片依次通过第一个槽、第二个槽和第三个槽;在第一个槽中每100片硅片通过后,加入HF 260ml,加入HNO3 90ml;在第二个槽中每100片硅片通过后,加入KOH 5ml,加入水50ml;在第三个槽中每100片硅片通过后,加入HF 50ml,HCL 60ml,加入水10ml。三个槽中的液体每周全部更换一次新的。
实施例二
一种太阳能电池硅片的制绒方法,它包括以下步骤:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的